晶片探测器制造技术

本发明专利技术的目的在于提供一种晶片探测器，它重量轻、热响应动力学极佳且在受到探测卡的挤压时没有翘曲，因而能有效地保护它防止对硅晶片的损坏和测量误差。本发明专利技术涉及一种陶瓷基底的表面上形成有导体层的晶片探测器。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及主要用于半导体行业的晶片探测器，尤其是涉及薄而轻且具有良好的热响应动力学的晶片探测器。
技术介绍
半导体对各种行业来说是极其重要的产品，半导体芯片通过例如把硅单晶切成预定厚度来制备硅晶片并在晶片上构成各种电路而制造的。生产这种半导体芯片的工艺必须包括用于在硅晶片阶段检查是否将按设计使各种电学特性具体化的探测步骤，所谓的探测器正是用于这一目的。作为这种探测器，其中尤其是日本专利出版2587289、日本公告出版Hei-3-40947以及日本公开出版Hei-11-31724描述了晶片探测器，每一种都设有包括铝合金、不锈钢等金属卡盘盖(chuck top)[附图说明图13]。如图12所示，利用这种晶片探测器，例如把硅晶片W设定在晶片探测器501上，把具有测试引脚的探测卡601压在硅晶片W上，然后，在加热和冷却时加上电压，以进行电导率测试。然而，已发行设有这种金属卡盘盖的任何晶片探测器有以下缺点。首先，由于包括金属，所以卡盘盖必须厚达约15mm。这一厚度是卡盘盖所需的，因为如果卡盘盖是由薄的金属片形成的，则由于探测器卡的测试器引脚的挤压，该卡盘盖将翘曲或应变，其结果是置于金属本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶片探测器，包括陶瓷基底及其表面上形成的导体层。

【技术特征摘要】
JP 1999-7-15 201789/991.一种晶片探测器，包括陶瓷基底及其表面上形成的导体层。2.如权利要求1所述的晶片探测器，其特征在于所述导体层为卡盘盖导体层。3.如权利要求1所述的晶片探测器，其特征在于所述陶瓷基底设有温控装置。4.如权利要求1所述的晶片探测器，其特征在于所述陶瓷基底以从本质上由氮化物陶瓷、碳化物陶瓷和氧化物陶瓷构成的组中选出的至少一个成分所构成。5.如权利要求...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤淳，平松靖二，伊藤康隆，古川正和，
申请(专利权)人：IBIDEN股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]