【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及S型负阻半导体器件及其制备方法。
技术介绍
S型负阻器件是一种重要的半导体器件，可用于微波振荡、信息存储、抗浪涌电流等方面。在本专利技术作出前，还未见有用硅作为负阻器件的报道。
技术实现思路
本专利技术的目的是提出在P型硅上沉积氧化锌薄膜的S型负阻器件及其制备方法。专利技术的S型负阻器件是由上电极、氧化锌薄膜、P型硅片衬底和下电极依次迭置而成，氧化锌薄膜在P型硅片衬底的正面，上电极在氧化锌薄膜上，下电极在P型硅片衬底的背面。本专利技术的制备S型负阻器件的方法包括以下步骤1)按常规清洗P型硅片衬底(3)，按通常的沉积方法，先在硅片衬底(3)的背面沉积下电极(4)，然后在硅片衬底的正面沉积氧化锌薄膜(2)，在氧化锌薄膜(2)上沉积上电极(1)；2)将步骤1)所得器件放入真空容器内，器件的二个电极经引线与外电路相连，外电路包括与器件串联的接有电位器的电池、电流表和与器件并联的电压表，使器件背面的下电极相对于正面上电极为正，调节电位器，使电压表读数不大于5伏；3)真空容器抽真空，这时电流表读数增大；4)待电流表读数稳定后，调节电位器使电压表读数增加，这时电流也相应增加，当电压增加到一定值后，出现电流急剧增加而电压表读数反而下降的负阻现象，切断电路，得S型负阻器件；5)检测从真空容器中取出器件，在空气中接外电路重新测试负阻现象，如负阻现象消失，重复上述步骤2)～4)，直至负阻现象在空气中也能观察到。上述氧化锌薄膜的沉积可采用化学气相、磁控溅射、高温裂解等方法，上电极及背面下电极可采用真空蒸发或磁控溅射沉积等。本专利技术为S型负阻器件提出了以硅作为负阻器...
【技术保护点】
Ｓ型负阻器件，其特征是由上电极（１）、氧化锌薄膜（２）、Ｐ型硅片衬底（３）和下电极（４）依次迭置而成，氧化锌薄膜（２）在Ｐ型硅片衬底的正面，上电极（１）在氧化锌薄膜上，下电极（４）在Ｐ型硅片衬底的背面。
【技术特征摘要】
1.S型负阻器件，其特征是由上电极(1)、氧化锌薄膜(2)、P型硅片衬底(3)和下电极(4)依次迭置而成，氧化锌薄膜(2)在P型硅片衬底的正面，上电极(1)在氧化锌薄膜上，下电极(4)在P型硅片衬底的背面。2.按权利要求1所述的S型负阻器件，其特征是所说的上电极是叉指状电极。3.按权利要求1所述的S型负阻器件的制备方法，其特征是包括以下步骤1)按常规清洗P型硅片衬底(3)，按通常的沉积方法，先在硅片衬底(3)的背面沉积下电极(4)，然后在硅片衬底的正面沉积氧化锌薄膜(2)，在氧化锌薄膜(2)上沉积上电极(1)；2)将步骤1)所得器件放入真空容器内，器件的二个电极经引线与外电路相...
【专利技术属性】
技术研发人员：季振国，刘坤，杨成兴，叶志镇，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]
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