【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种透明电极基板及其制造方法,特别涉及一种可增加无机物型的透明电极板与有机共轭高分子界面结合紧密性的透明电极基板及其制造方法。另外,本专利技术涉及一种有机发光二极管,特别涉及一种可加速空穴传递、提高二极管元件寿命与发光效能的高分子有机发光二极管。1990年,英国剑桥大学的研究群,发现聚对亚苯乙烯[poly(p-phenylenevinylene;PPV)]的高分子材料可做为发光二极管的发光层材料,造成全世界研究有机电激发光显示技术的热潮。由于有机电激发光显示技术,除具有现代液晶显示器的轻薄、低耗电量与高解析度外,其本质拥有更优越的广视角特性、高应答速度与高明暗对比,并具有制造简单与成本低的优点。而且利用高分子的优异超薄成膜的特性,可制造非常薄且柔软的发光元件。相信未来必能实现可卷曲显示器的梦想。高分子发光二极管是以高分子为其发光层(发光部)的材料,一般通称为聚合物发光二极管(polymer light emitting diode;PLED),公知的高分子发光二极管(有机发光二极管)主要包含一基板、一透明电极层、一发光部及一金属电极层,其中该透 ...
【技术保护点】
一种透明电极板,包含:一基板;及一透明电极层,形成在该基板上,其表面具有铟锡-氧-硅-有机官能基。
【技术特征摘要】
1.一种透明电极板,包含一基板;及一透明电极层,形成在该基板上,其表面具有铟锡-氧-硅-有机官能基。2.如权利要求1所述的透明电极板,其中该基板由玻璃材料所构成。3.如权利要求1所述的透明电极板,其中该基板由有机塑胶材料所构成。4.一种透明电极基板的制造方法,包含以下步骤将含硅的烷氧型化合物溶于水中以形成一定浓度的含硅的烷氧型化合物水溶液;及将一表面具有氢氧基的铟锡氧透明基板(ITO电极基板)浸泡于该含硅的烷氧基化合物水溶液中,经一定时间后,形成一表面具有铟锡-氧-硅-有机官能基的透明电极基板。5.如权利要求4所述的透明电极基板的制造方法,其中,该透明电极基板制造方法的步骤还包含以一定的温度、时间将浸泡后的透明电极基板加以烘烤。6.如权利要求4所述的透明电极基板的制造方法,其中,该含硅的烷氧型化合物水溶液的浓度(V/V)为0.01~1%。7.如权利要求4所述的透明电极基板的制造方法,其中,该铟锡氧透明基板(ITO电极基板)的浸泡时间约为5分钟。8.如权利要求4所述的透明电极基板的制造方法,其中,该含硅的烷氧型化合物为3-(2-氨基乙基氨基)丙基三甲氧基硅烷。9.如权利要求4所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄明义,刘如熹,许良荣,林明发,
申请(专利权)人:精碟科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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