发光二极管的封装制造技术

本发明专利技术以硅晶片为基板，利用其晶面具有特定方向做湿蚀刻使形成凹槽，在硅基板的背面，利用干蚀刻制作贯孔电极，同时利用硅表面形成绝缘的气化膜层或氮化膜层后再镀反射层与电极层，将发光二极管晶粒放于硅基板凹槽内并做固晶、打线、封胶、切割等步骤，即可形成ＳＭＤ发光二极管成品。本发明专利技术优点是散热佳、耐温高，小型化等。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于一种发光二极管的封闭，具体地说，涉及一种粘着型发光二极管的封闭。耐温性不佳、散热性不佳、微小化反射凹槽不易制作，是传统SMDLED最大问题所在。本专利技术的目的在提供一种发光二极管的封闭，具有耐热性高，制作反向槽容易，散热性佳，微小化容易等优点。为实现上述目的，本专利技术提供的一种发光二极管的封装，是在硅晶片基板正面上光阻层经曝光显影后利用湿蚀刻方式蚀刻出具有倾斜壁的凹槽反射座，另在硅晶片基板的背面同样上光阻层并在凹槽底部背面的相对位置设有电极孔图案经曝光显影后利用于蚀刻方式蚀刻出贯孔电极孔，后去除光阻，再将硅晶片基板经高温炉氧化或氮化处理使硅基板表面形成一层氧化硅或氮化硅的绝缘层，再利用电镀方式使硅基板正、反面及贯孔电极孔内均镀一层金属导电层，并利用激光加工将凹槽内的电极面分割成具有正、负电极的电极接触面，以利LED发光晶粒的置于其中并与电极接合。其中镀金属导电层须同时具有导电与光反射功能，其材料为Ag、Au、Pd、pt等。其中硅晶片基板选用100结晶方位的硅晶片能蚀刻出倾斜壁的凹槽。其中硅晶片基板运用110结晶方位的硅晶片能蚀刻出具垂直壁的凹槽。其中湿蚀刻液为本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管的封装，其特征在于，基板的制作方法为：以硅晶片为基板，在其正面上光阻层经曝光显影后利用湿蚀刻方式蚀刻出具有倾斜壁的凹槽反射座，另在硅晶片基板的背面同样上光阻层并在凹槽底部背面的相对位置设有电极孔图案经曝光显影后利用干蚀刻方 式蚀刻出贯孔电极孔，去除光阻，将硅晶片基板经高温炉氧化或氮化处理使硅基板表面形成一层氧化硅或氮化硅的绝缘层，利用电镀方式使硅基板正、反面及贯孔电极孔内均镀一层金属导电层，并用激光加工将凹槽内的电极面分割成具有正、负电极的电极接触面，以利发光二极管的发光晶粒置于其中并与电极接合。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管的封装，其特征在于，基板的制作方法为以硅晶片为基板，在其正面上光阻层经曝光显影后利用湿蚀刻方式蚀刻出具有倾斜壁的凹槽反射座，另在硅晶片基板的背面同样上光阻层并在凹槽底部背面的相对位置设有电极孔图案经曝光显影后利用干蚀刻方式蚀刻出贯孔电极孔，去除光阻，将硅晶片基板经高温炉氧化或氮化处理使硅基板表面形成一层氧化硅或氮化硅的绝缘层，利用电镀方式使硅基板正、反面及贯孔电极孔内均镀一层金属导电层，并用激光加工将凹槽内的电极面分割成具有正、负电极的电极接触面，以利发光二极管的发光晶粒置于其中并与电极接合。2.如权利要求1所述的一种发光二极管的封装，其特征在于，其中镀金属导电层须同时具有导电与光反射功能，其材料为银、金、钯、铂等。3.如权利要求1所述的一种发光二极管的封装，其特征在于，其中硅晶片基板选用100结晶方位的硅晶片能蚀刻出倾斜壁的凹槽。4.如权利要求1所述的一种发光二极管的封装，其特征在于，其中硅晶片基板选用110结晶方位的硅晶片能蚀刻出具垂直壁的凹槽。5.如权利要求1所述的一种发光二极管的封装，其特征在于，其中湿蚀刻液为碱性(氢氧化钾)时，其光阻须用酸性显影光阻。6.一种发光二极管的封装，其特征在于，硅晶片基板经氮气高温炉加热使硅晶片表面形成一层氮化硅层，再上光阻并配合光罩曝光显影，用反应性离子蚀刻把显影区的氮化硅层去除，后再用湿蚀刻法蚀刻出具有凹槽的结构；在硅晶片基板的背面上光阻并配合光罩在凹槽的相对位置设有电极孔图做曝光显影，再用反应性离子蚀刻把氮化硅层去除，用干蚀刻感应耦合电浆制作出贯孔电极孔，将硅晶片基板经氧化或氮化处理使凹槽及贯孔电极孔内壁形成一层绝缘层，再将硅基板镀金属层，利用激光加工分割出凹槽内的正、负电极面，以利发光二极管晶粒置于凹槽内并与电极接合...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈兴，
申请(专利权)人：诠兴开发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]