具有最佳锗分布的硅锗双级晶体管制造技术

本发明专利技术描绘了一种硅－锗双极晶体管，其中，在硅衬底（７）上形成第一ｎ掺杂发射极区（１）和与其相接的第二ｐ掺杂基极区（２）以及与其相接的第三ｎ掺杂集电极区（３）。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅锗双极晶体管，其锗浓度分布被最佳化，以便减小与工作点有关的电流放大系数变化。硅锗双极晶体管，简称SiGeBT，是硅双极晶体管的进一步发展，并且其特征为在高频波段不寻常的效率。在这种SiGeBT中有目的地使基极区及邻接的发射极区的边缘区与锗(Ge)形成合金。在应用合适的锗分布的情况下，在晶体管的该区内在价带和导带之间的能带宽度起较小的作用，以致载流子较快地通过基极区。因此，SiGeBT具有极高的极限频率并特别适合于高频应用。这种SiGeBT例如可从F.Crabbe等人的IEEE Electron DeviceLetters(IEEE电子器件通讯)、卷4，1993年获悉。通常在SiGeBT中提供具有重量百分比为10到25％的Ge的基极区。从发射极到基极的锗浓度的过渡或者是不连贯的，或近似为线性上升分布。关于SiGeBT的高频特性，具有近似线性上升的Ge浓度分布被证明是最佳的。该浓度分布的缺点是电流放大系数强烈地依赖于各自流过的集电极电流。该缺点归因于晶体管的电流放大系数与发射极/基极-pn结的空间电荷区(简称EB空间电荷区)的状态有关。其中下述两个因素是主要的其一，本文档来自技高网...

【技术保护点】
硅－锗双极晶体管，其中，在硅衬底（７）内形成第一ｎ掺杂发射极区１和与其相接的第二ｐ掺杂的基极区（２）和与其相接的第三ｎ掺杂的集电极区（３），在发射极区（１）和基极区（２）之间形成第一空间电荷区（４），以及在基极区（２）和集电极区（３）之间形成第二空间电荷区（５），其中，基极区（２）和相邻的发射极区（１）的边缘区与锗形成合金，发射极区（１）的锗浓度（６）朝基极区（２）方向上升，第一空间电荷区（４）所在的结区内的锗浓度比发射区（１）稍微强烈地上升或下降，而基极区（２）内的锗浓度（６）比结区首先更强烈地上升。

【技术特征摘要】
DE 2000-1-20 10002364.91.硅-锗双极晶体管，其中，在硅衬底(7)内形成第一n掺杂发射极区1和与其相接的第二p掺杂的基极区(2)和与其相接的第三n掺杂的集电极区(3)，在发射极区(1)和基极区(2)之间形成第一空间电荷区(4)，以及在基极区(2)和集电极区(3)之间形成第二空间电荷区(5)，其中，基极区(2)和相邻的发射极区(1)的边缘区与锗形成合金，发射极区(1)的锗浓度(6)朝基极区(2...

【专利技术属性】
技术研发人员：W克赖恩，R拉奇纳，W莫尔齐，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]