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本发明描绘了一种硅－锗双极晶体管，其中，在硅衬底（７）上形成第一ｎ掺杂发射极区（１）和与其相接的第二ｐ掺杂基极区（２）以及与其相接的第三ｎ掺杂集电极区（３）。...
该专利属于因芬尼昂技术股份公司所有，仅供学习研究参考，未经过因芬尼昂技术股份公司授权不得商用。

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