【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路制作领域，尤指一种。附图说明图1即显示上述习知步骤所形成的双镶嵌内连线结构20剖面。如图1所示，习知双镶嵌内连线结构20，其包括一介质窗(via)22以及一导线沟渠(trench line)23，嵌入形成于一介电层11中。介质窗22与位于下方介电层12的导电层或下层导线14相通。铜金属电镀于双镶嵌内连线结构20中，构成一上层铜导线24以及一插塞22a，并且上层铜导线24即经由插塞22a与下层导线14电连接。为了避免铜金属向外扩散造成漏电流，一般会有阻障层(barrier layer)25设于介质窗22以及导线沟渠23表面，其材质可为钛(Ti)、氮化钛(TiN)、氮化钽(TaN)、或氮化钨(WN)等金属或合金。然而，随着元件尺寸微小化，许多问题也伴随产生，首先，习知采行物理气相沉积(physical vapor deposition，PVD)法形成的金属阻障层，如PVD-TaN，无法提供较佳的平坦均匀覆盖(conformal coverage)，以致于在面对高宽比(aspect ratio)大于2比1时，使得导线沟渠或介质窗的填入不均，因...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种双镶嵌结构，其特征是包含有一底层，其内包含有一导电层；一第一介电层，设于该底层上；一蚀刻停止层，设于该第一介电层上；一介质窗开口，设于该第一介电层及蚀刻停止层中，以暴露出部份该导电层；一第二介电层，设于该蚀刻停止层上；一沟渠线形成于该介质窗开口上的该第二介电层中；一介电阻障层，覆盖该介质窗开口的侧壁；以及一金属阻障层，覆盖该沟渠线的内壁、该介电阻障层及该介质窗开口的底部。2.如权利要求1所述的双镶嵌结构，其特征是该介电阻障层由氮化硅构成。3.如权利要求2所述的双镶嵌结构，其特征是该介电阻障层的厚度小于300埃(angstrom)。4.如权利要求1所述的双镶嵌结构，其特征是该金属阻障层由Ta/TaN构成。5.如权利要求1所述的双镶嵌结构，其特征是另包含有一铜晶种层，覆于该金属阻障层上。6.如权利要求1所述的双镶嵌结构，其特征是另包含有一铜金属层填入该沟渠线以及该介质窗开口中。7.一种制作铜双镶嵌内连线的方法，可以改善介质窗的可靠度，其特征是该方法包含有下列步骤提供一基底，其内形成有一导电层；于该基底及该导电层上形成一第一介电层；于该第一介电层上沉积一蚀刻停止层；于该第一介电层及蚀刻停止层中形成一介质窗开口，暴露出部份该导电层；于该蚀刻停止层上、该介质窗开口的侧壁、底部上，沉积一第二介电层；于该第二介电层上沉积一第三介电层，且该第三介电层填满该介质窗开口；于该第三介电层上形成一硬遮罩层；于该硬遮罩层上形成一光阻层，且该光阻层具有一线图案，暴露出部份位于该介质窗开口上方的该硬遮罩层；经由该线图案蚀刻该硬遮罩层、该第三介电层、该第二介电层，并于该介质窗开口的侧壁上形成一介电阻障层侧壁子，并形成导线沟渠位于该介质窗开口上方的双镶嵌结构；以及于该介电阻障层侧壁子上、该介质窗开口的底部、以及该导线沟渠的内壁上...
【专利技术属性】
技术研发人员：剡友圣，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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