极性反置红外发光二极管的功率发射效能提升元件及制法制造技术

一种极性反置红外发光二极管（（ＩｎｆｒａｒｅｄｌｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ；ＩｒＥＤ）的功率发射效能提升元件及制法。此具有功率发射效能提升的的ＩｒＥＤ包含一基板、垒晶层以及一与发光路径成正交的凹下曲面，而且其极性可以反置。此与发光路径成正交的凹下曲面的表面有一旋涂玻璃（Ｓｐｉｎ－ｏｎ－ｇｌａｓｓ，ＳＯＧ）。通过该涂布ＳＯＧ与发光路径成正交的凹下曲面，可以避免耦合量子损失（包括吸收损失、Ｆｒｅｓｎｅｌ及临界角限制），提升ＩｒＥＤ的功率发射效能。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种极性反置红外发光二极管(Infrared light EmittingDiode，IrED)的功率发射效能提升的元件及其制造方法。本专利技术尤其关于一种经结构处理的极性反置IrED元件，其结构处理可以提升IrED的功率发射效能，以及此种发光二极管元件的制造方法。就光学而言，发光效率是指光源每消耗一瓦功率所发射出的流明数。所谓最高量子效率(highest quantum efficiency)是指在一定的电流输入，能有最大的光辐射输出。考虑光子辐射产生后，在元件内部行进路径的辐射损失，则以外部量子效率ηext值作为实际接收端所受量子效率的指针。具体而言，该外部量子效率ηext为元件依其本质的内部量子效率，向外辐射光子。而辐射过程中，历经元件本身必然的吸收、折射等光学耗损后，所测量到的辐射效能。也就是内部量子效率经元件散发出来并出现在接收端或观察者眼中的发光效能，可以量化为如下列数学式所述(式1)外部量子效率ηext＝内部量子效率ηint×耦合量子效率ηcoupling 其中，内部量子效率是指单位时间在正向偏压下电子空穴辐射复合数与总复合数(含辐射复合和非辐射复本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种极性反置红外发光二极管的功率发射效能提升元件，该ＩｒＥＤ的功率发射效能提升元件具有第一电极与第二电极，在该第一电极与第二电极之间依序包含：一基板；一成长于该基板顶层的第一垒晶层；一成长于该第一垒晶层上的第二垒晶层；其中， 该基板具有与发光路径成正交的凹下曲面，在该凹下曲面上涂布有旋涂玻璃。

【技术特征摘要】
1.一种极性反置红外发光二极管的功率发射效能提升元件，该IrED的功率发射效能提升元件具有第一电极与第二电极，在该第一电极与第二电极之间依序包含一基板；一成长于该基板顶层的第一垒晶层；一成长于该第一垒晶层上的第二垒晶层；其中，该基板具有与发光路径成正交的凹下曲面，在该凹下曲面上涂布有旋涂玻璃。2.如权利要求1所述的IrED的功率发射效能提升元件，其特征在于该第一垒晶层为N型半导体层，该第一电极连接于电路的负极。3.如权利要求1所述的IrED的功率发射效能提升元件，其特征在于该第二垒晶层为P型半导体层，该第二电极连接于电路的正极。4.如权利要求1所述的IrED的功率发射效能提升元件，其特征在于该IrED的第一电极或第二电极是多个欧姆接触的金属电极组成，且该金属电极可以为点状，包括圆形、方形，其点状间更可以包含联机。5.如权利要求1所述的IrED的功率发射效能提升元件，其特征在于该第一垒晶层与第二垒晶层形成一发光区。6.如权利要求5所述的IrED的功率发射效能提升元件，其特征在于该IrED的功率发射效能提升元件，可为同质结构，或单异质结构。7.如权利要求1所述的IrED的功率发射效能提升元件，其特征在于该与发光路径成正交的凹下曲面为半球形。8.如权利要求7所述的IrED的功率发射效能提升元件，其特征在于该与发光路径成正交的凹下曲面是采用光刻蚀刻技术作成。9.如权利要求1所述的IrED的功率发射效能提升元件，其特征在于该SOG被均匀的涂布在凹下曲面表层形成一弧面，该弧面使射出光免去临界角限制效应。10.如权利要求1所述的IrED的功率发射效能提升元件，其特征在于该基板是砷化镓半导体。11.一种极性反置红外发光二极管的功率发射效能提升...

【专利技术属性】
技术研发人员：褚宏深，
申请(专利权)人：连硕科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]