加工方法及半导体器件的制造方法技术

一种进行选择性地除去在衬底上形成的加工膜的加工区域或进行减少膜厚的加工的加工方法，其特征在于包括：使在上述衬底上的照射形状比上述加工区域小的第１加工光，对上述衬底相对地扫描以选择性地进行上述加工区域的加工膜的加工的工序；和向比上述加工区域更往内侧的区域照射第２加工光，选择性地进行比上述加工区域更往内侧的区域的上述加工膜的加工的工序。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种对在衬底上形成的加工膜的第１加工区域进行选择加工的加工方法，包括：使在上述衬底上的照射形状比上述第１加工区域小的第１加工光，对上述衬底相对地扫描以选择加工上述加工膜的上述第１加工区域；向比上述加工区域更往内侧的第２加工区域照射第２加工光，选择加工上述加工膜的第２加工区域。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：竹石知之，川野健二，池上浩，伊藤信一，高桥理一郎，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]