【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种用以形成在光刻胶层上层合的防反射膜的涂布液组合物、使用该组合物的光刻胶层合体、以及光刻胶图案的形成方法。更详细地说，涉及这样一种用于形成防反射膜的涂布液组合物，该组合物在采用使用ArF准分子激光(波长193nm)作为活性光线的光刻法技术来形成图案时，用来形成降低光刻胶层内的光的多重干涉、防止光刻胶图案精度降低的防反射膜；并且还涉及一种在光刻胶层上使用该涂布液组合物形成防反射膜的光刻胶层合体、以及光刻胶图案的形成方法。特别是最近，正集中精力开发使用波长在200nm以下的活性光线、特别是ArF准分子激光(波长193nm)的极微细加工工艺，使用与ArF准分子激光相对应的光刻胶来形成更微细的高精度光刻胶图案就成为重要的课题。但是，在采用光刻法形成光刻胶图案的过程中，为了防止光刻胶膜内的光的多重干涉、抑制光刻胶膜厚的变动带来的光刻胶图案尺寸宽度的变动，已知有在光刻胶膜上形成防反射膜(上层防反射膜)，进行曝光、显影处理后形成光刻胶图案的方法。这种状况下，为了形成极微细的图案，对于防反射膜、光刻胶膜的材料提出了各种方案。例如，提出了作为用于形成防反射膜的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于形成防反射膜的涂布液组合物，它是用于形成在含有如下聚合物的光刻胶层上层合的防反射膜的涂布液组合物，所说的聚合物是以侧链上具有至少1个多环式烃基、且利用酸的作用可使其对碱的溶解性增大的(甲基)丙烯酸酯单元作为构成单元的聚合物；该涂布液组合物中含有以下成分(a)水溶性膜形成成分，(b)从碳原子数为4以上的全氟烷基羧酸和碳原子数为5以上的全氟烷基磺酸中选出的至少1种含氟化合物，(c)由(c-1)碳原子数1～4的氟代烷基磺酸、和/或(c-2)1个以上的氢原子被氟代烷基磺酰基取代的碳原子数1～4的烃(烃基中的1个以上的碳原子也可以被氮原子取代)构成的酸性化合物。2.权利要求1中所述的用于形成防反射膜的涂布液组合物，其中，(b)成分为从全氟辛酸、全氟辛基磺酸中选出的任意1种以上。3.权利要求1中所述的用于形成防反射膜的涂布液组合物，...
【专利技术属性】
技术研发人员：胁屋和正，久保田尚孝，横井滋，原口高之，
申请(专利权)人：东京应化工业株式会社，
类型：发明
国别省市：
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