【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及磁阻器件。更具体地讲，本专利技术涉及和磁阻器件一起使用的电脉冲的时间控制。一个典型的TMR器件包含针(pinned)层(或参考层)，读出层(或数据层，或前层(pre-layer)，或比特层)，以及一个夹在针层和读出层之间的绝缘隧道阻挡层。针层具有的磁化方向是固定的，在施加的磁场处于所关心范围内时，它的磁化方向不变。读出层的磁化方向可以在两个方向上取向与针层的磁化方向同向，或者与针层的磁化方向反向。如果针层的磁化方向和读出层的磁化方向相同，则TMR器件的方向被称之为“平行”。如果针层的磁化方向与读出层的磁化方向相反，则TMR器件的方向被称之为“反平行”。除了数据(读出)和参考(针)层被导电的非磁性金属层、而非绝缘隧道阻挡层分隔以外，GMR器件具有和TMR器件相同的基本配置。和TMR器件类似，GMR器件的数据和参考层可以具有平行的或反平行的取向。上述两个稳定的取向，平行和反平行，可以对应于逻辑值零(0)和一(1)。这样，磁阻器件适合用于通常被称之为磁随机存取存储器(MRAM)器件的存储装置中。MRAM是非易失性存储器，可以用来作短期和长期数据存储。...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种器件(10)，它包括磁阻单元(14)；第一导体(8)，它临近所述磁阻单元，其中所述磁阻单元暴露在所述第一导体承载的第一电脉冲(801)所生成的磁场中；以及第二导体(9)，它临近所述磁阻单元，其中所述磁阻单元暴露在所述第二导体承载的第二电脉冲(802)所生成的磁场中，所述第二电脉冲相对于所述第一脉冲有延迟。2.如权利要求1所述的器件，其特征在于所述第一电脉冲和所述第二电脉冲具有重叠时段。3.如权利要求1所述的器件，其特征在于所述磁阻单元包括磁存储单元(14)。4.如权利要求1所述的器件，其特征在于所述第一导体和所述第二导体从所述磁阻单元的中点偏移。5.如权利要求1所述的器件，其特征在于还包含第三导体(16)，它临近所述磁阻单元，所述第三导体基本垂直于所述第一和第二导体，其中所述磁阻单元暴露在由所述第三导体承载的第三电脉冲所生成的磁场中。6.如权利要求5所述的器件，其特征在于所述第一和第二电脉冲和所述第三电脉冲一起，足以将所述磁阻单元反转到不...
【专利技术属性】
技术研发人员：M·夏尔马，M·巴塔查里亚，L·T·特兰，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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