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一种器件（１０），它包括：磁阻单元（１４）；第一导体（８），它临近所述磁阻单元，其中所述磁阻单元暴露在所述第一导体承载的第一电脉冲（８０１）所生成的磁场中；以及第二导体（９），它临近所述磁阻单元，其中所述磁阻单元暴露在所述第二导 ...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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