硅纳米线阵列太阳能转换装置制造方法及图纸

硅纳米线阵列太阳能转换装置，它含有Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ栅形电极、Ｐ型硅基底层和Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ金属膜背电极层，其特征在于：在所述Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ栅形电极和Ｐ型硅层之间还含有纳米硅线阵列层，所述太阳能转换装置含有的依次相叠的各层为： （１）Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ栅形电极，位于纳米硅线阵列层之上，作为正面引出电极； （２）纳米硅线阵列层，位于Ｐ型硅层之上，作为太阳能电池的发射极和减反射层； （３）Ｐ型硅基底层，位于铝金属膜背电极之上，作为太阳能电池的基区； （４）Ｔｉ／Ｐｄ／Ａｇ金属膜背电极层，作为背面引出电极。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种硅纳米线阵列太阳能转换装置，属于太阳能转换
单晶硅太阳电池在现阶段的大规模应用和工业生产中占主导地位。当前，人们除大量应用单晶硅太阳电池外[参见专利专利号JP5243597-A；专利号KR2002072736-A]，还研制成功了多晶硅电池[参见专利专利号US5949123-A]、非晶硅电池[参见专利专利号JP2002124689-A；专利号US6307146-B1]、薄膜太阳电池等各种新型的电池[参见专利专利号JP2002198549-A]，并且还再不断地研制各种新材料、新结构的太阳电池[参见专利专利号DE19743692-A；DE19743692-A1]。在几种薄膜电池中，最成熟的当数非晶硅薄膜太阳电池[参见专利专利号]，其主要优点是成本低，制备方便，但也存在严重的缺点，即非晶硅电池的不稳定性，其光电转换效率会随着光照时间的延续而衰减。多晶硅薄膜电池的研究工作自1987年以来发展迅速[参见专利专利号JP2002222975-A]，成为世界关注的新热点。多晶硅薄膜电池由于所使用的硅量远较单晶硅少，又无效率衰减问题，并且有可能在廉价衬底材料上制备，其成本本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.硅纳米线阵列太阳能转换装置，它含有Ti/Pd/Ag栅形电极、P型硅基底层和Ti/Pd/Ag金属膜背电极层，其特征在于在所述Ti/Pd/Ag栅形电极和P型硅层之间还含有纳米硅线阵列层，所述太阳能转换装置含有的依次相叠的各层为(1)Ti/Pd/Ag...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱静，彭奎庆，
申请(专利权)人：清华大学，
类型：发明
国别省市：