激光加工方法技术

一种通过对工件施加激光束来对所述工件进行加工的激光加工方法，所述方法包括：　　　　保护膜涂覆步骤，其中在所述工件的待加工表面上涂覆保护膜；　　　　激光束照射步骤，其中经由所述保护膜来对所述工件施加激光束；和　　　　保护膜去除步骤，其中在完成所述激光束照射步骤后去除所述保护膜。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于对工件的预定区域施加激光束以进行预定加工的。
技术介绍
在半导体器件的生产过程中，如本领域的技术人员众所周知的那样，在近似盘形的半导体晶片的表面上由设置成网格图案的沟道(street；切割线)划分了多个区域，在各个划分区域内形成了电路，例如集成电路(IC)或大规模集成电路(LSI)等。沿着这些沟道切割该半导体晶片以将其分成各个电路，从而生产出单个的半导体芯片。沿半导体晶片的沟道所进行的切割通常通过切割装置如划片机来进行。该切割装置包括用于固定作为工件的半导体晶片的夹台，用于切割被夹台所夹住的半导体晶片的切割装置，以及用于使夹台和切割装置相互间运动的运动装置。切割装置包括可高速旋转的旋转主轴和安装在主轴上的刀片。刀片包括盘形基体和安装在基体侧面的外周边部分上的环形刀刃。刀刃包括通过电成形而固定住的金刚石磨粒(例如颗粒尺寸约为3微米)，并形成为具有约20微米的厚度。当通过这种刀片来切割半导体晶片时，在所切下的半导体晶片的切割面上会产生破裂或裂纹。因此，考虑到该破裂或裂纹的影响，沟道的宽度设定为约50微米。然而，如果半导体芯片的尺寸减小，那么沟道占半导体芯片的比例将增大，这样会降低生产率。而且，刀片所进行的切割还存在着下述问题，即进给速度受到限制，并且半导体芯片会被切屑污染。近来，下述半导体晶片已被投入实际使用以便生产更精细的电路如IC或LSI，这些半导体晶片是已在半导体晶片体如硅晶片的表面上层压了低介电常数的绝缘体(低k薄膜)的半导体晶片，该绝缘体包括无机材料如SiOF或BSG(SiOB)的薄膜，或者是有机材料的薄膜，例如聚酰亚胺基或聚对亚苯基二甲基的聚合物膜；以及具有称为试验元件组(Teg)的金属图案的半导体晶片。具有层压在其上的低介电常数的绝缘体(低k薄膜)的半导体晶片存在这样的问题，即在用刀片沿沟道进行切割时，低介电常数的绝缘体会剥落下来。具有施加了称为试验元件组(Teg)的金属图案的半导体晶片存在这样的问题，即在用刀片沿沟道进行切割时会产生毛刺，这是因为金属图案由粘性金属如铜等形成。还已尝试了沿半导体晶片的沟道照射激光束以切割半导体晶片的加工方法。这种方法公开于日本未审查的专利出版物No.1994-120334中。这种通过激光束照射来进行切割的方法属于采用激光束沿沟道来划分半导体晶片的类型。因此，这一方法可以解决低介电常数的绝缘层的剥落问题，还可解决产生毛刺的问题。然而，这一方法存在新的问题，即在沿半导体晶片的沟道照射激光束时，热能集中在照射区域中，因而产生了碎屑，这些碎屑会粘附在与电路相连的焊接区等上，因而降低了半导体芯片的质量。
技术实现思路
因此，本专利技术的一个目的是提供一种，其能够防止在对工件施加激光束时所产生的碎屑的影响。为了实现上述目的，根据本专利技术，提供了一种通过对工件施加激光束来对工件进行加工的，该方法包括保护膜涂覆步骤，其中在工件的待加工表面上涂覆保护膜；激光束照射步骤，其中经由保护膜来对工件施加激光束；和保护膜去除步骤，其中在完成激光束照射步骤后去除保护膜。根据本专利技术，还提供了一种，其中通过在用激光束照射装置对工件施加激光束时使工件相对于激光束照射装置运动，从而对工件进行切割，该方法包括保护膜涂覆步骤，其中在工件的待加工表面上涂覆保护膜；激光束照射步骤，其中经由保护膜来对工件施加激光束；和保护膜去除步骤，其中在完成激光束照射步骤后去除保护膜。通过用液态树脂来涂覆待加工表面并经过一段时间来使所得涂层硬化，就可形成保护膜。或者，通过将片状件粘附到待加工表面上来形成保护膜。该液态树脂或片状件最好是水溶性的。从下述介绍中可以清楚本专利技术的其它特征。附图说明图1是用于进行根据本专利技术的的激光加工设备的透视图。图2是示意性显示了设于图1所示激光加工设备中的激光加工装置的构成的框图。图3是作为将通过根据本专利技术的来加工的工件的半导体晶片的透视图。图4是显示了在根据本专利技术的中的保护膜涂覆步骤的一个实施例的说明图。图5是作为通过图4所示的保护膜涂覆步骤而已涂覆了保护膜的工件的半导体晶片的关键部分的放大剖视图。图6是显示了在根据本专利技术的中的保护膜涂覆步骤的另一实施例的说明图。图7是显示了作为涂覆有保护膜的工件的半导体晶片由环形框架通过保护胶带所支撑的状态的透视图。图8是显示了在根据本专利技术的中的激光束照射步骤的说明图。图9是作为通过根据本专利技术的所加工出的工件的半导体晶片的关键部分的放大剖视图。具体实施例方式下面将参考附图来详细地介绍根据本专利技术的。图1显示了在根据本专利技术的中使用的可对工件如半导体晶片等施加激光束的激光加工设备的透视图。图1所示的激光加工设备包括固定基底2；夹台机构3，其设于固定基底2上以便在箭头X所示的方向上运动并可固定工件；激光束照射单元的支撑机构4，其设于固定基底2上以便在箭头Y所示的方向上运动，这一方向与箭头X所示方向垂直；以及激光束照射单元5，其设于激光束照射单元的支撑机构4上以便在箭头Z所示的方向上运动。夹台机构3包括一对导轨31，31，其沿箭头X所示的方向平行地设置在固定基底2上；第一滑动块32，其设于导轨31，31上以便沿箭头X所示的方向运动；第二滑动块33，其设于第一滑动块32上以便沿箭头Y所示的方向运动；支撑台35，其通过柱形件34支撑于第二滑动块33上；以及作为工件固定装置的夹台36。该夹台36具有由多孔材料形成的吸力夹盘361，其构造成例如可通过吸力装置(未示出)来将作为工件的盘形半导体晶片固定在吸力夹盘361上。夹台36由设于柱形件34内的脉冲电动机(未示出)带动旋转。第一滑动块32在其下表面上设有安装在一对导轨31，31上的一对导向槽321，321，在其上表面上具有一对沿箭头Y所示的方向平行地形成的导轨322，322。这样构成的第一滑动块32构造成可通过将导向槽321，321安装在这对导轨31，31上而在箭头X所示的方向上沿这对导轨31，31运动。所示实施例中的夹台机构3具有运动装置37，用于使第一滑动块32在箭头X所示的方向上沿这对导轨31，31运动。运动装置37包括设于这对导轨31，31之间并与之平行的外螺纹杆371，以及用于旋转式地驱动外螺纹杆371的驱动源，例如脉冲电动机372。外螺纹杆371在其一端处由固定在固定基底2上的轴承座373可旋转地支撑，在其另一端处经减速齿轮(未示出)驱动-传动式连接在脉冲电动机372的输出轴上。外螺纹杆371拧在形成于内螺纹块(未示出)中的内螺纹通孔上，该内螺纹块设置成从第一滑动块32的中央部分的下表面上突起。因此，外螺纹杆371由脉冲电动机372正常地和反向旋转地驱动，使得第一滑动块32在箭头X所示的方向上沿导轨31，31运动。第二滑动块33在其下表面上设有一对导向槽331，331，该导向槽331，331安装在设于第一滑动块32的上表面上的一对导轨322，322上。第二滑动块33构造成可通过将导向槽331，331安装在这对导轨322，322上而在箭头Y所示的方向上运动。所示实施例中的夹台机构3具有运动装置38，用于使第二滑动块33在箭头Y所示的方向上沿设于第一滑动块32上的这对导轨322，322运动。运动装置38包括设于这对导轨322，322之间并与之平行的外螺纹杆381，以及用于旋转式地驱动外螺本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种通过对工件施加激光束来对所述工件进行加工的激光加工方法，所述方法包括保护膜涂覆步骤，其中在所述工件的待加工表面上涂覆保护膜；激光束照射步骤，其中经由所述保护膜来对所述工件施加激光束；和保护膜去除步骤，其中在完成所述激光束照射步骤后去除所述保护膜。2.根据权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于，所述保护膜通过用液态树脂来涂覆所述待加工表面并使所得涂层经过一段时间而硬化来形成。3.根据权利要求2所述的激光加工方法，其特征在于，所述液态树脂是水溶性的。4.根据权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于，所述保护膜通过用片状件粘附在所述待加工表面上来形成。5.根据权利要求4所述的激光加工方法，其特征在于，所述片状件是水溶性的。6.根据权利要求1所述的激光加工方法，其特征在于，所述工件是半导体晶片。7.一种激光加工方法，其中通过在用激...

【专利技术属性】
技术研发人员：关家一马，
申请(专利权)人：株式会社迪斯科，
类型：发明
国别省市：