半导体制造装置用氟橡胶类成型制品的洗涤方法和被洗涤的成型制品制造方法及图纸

一种半导体制造装置用氟橡胶成型制品的洗涤方法，它是采用干式蚀刻法和／或萃取法洗涤氟橡胶成型制品。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体制造装置用密封材料等的氟橡胶类成型制品的洗涤方法和被洗涤的成型制品、以及装配该成型制品的蚀刻装置等半导体制造装置。
技术介绍
过去，在半导体产业领域中，半导体制造装置用的密封材料等成型制品，一般使用由硅酮类材料、氟硅酮类材料、乙烯/丙烯/二烯三元共聚物(EPDM)等制成的密封材料，但从耐热性、耐等离子体性、耐腐蚀气体性等性能优良的观点考虑，特别是作为在严酷使用条件下的成型制品，使用偏氟乙烯/六氟丙烯共聚物橡胶、偏氟乙烯/四氟乙烯/六氟丙烯共聚物橡胶、四氟乙烯/全氟(烷基乙烯基醚)共聚物橡胶、四氟乙烯/丙烯共聚物橡胶等氟橡胶材料。但是，在半导体制造工序中，产生光刻胶残渣、有机溶剂残渣、合成蜡、来自人体的脂肪酸等有机类残渣、以及钠、钾、金、铁、铜等无机类污染物和微细颗粒。要想除去这些杂质，重要的是不在高温热处理工序中带入这些杂质，因此，硅片的洗涤中需要特别当心，要求严格管理该过程中使用的药品类。但是，由于例如64Mbit DRAM的最小电路图案(pattern)为0.35μm，因此必须将0.02～0.03μm左右的微粒作为管理对象，但目前很难在技术上将硅片洗涤中所使用的药品类管理到这样一种水平。因此，本专利技术者们认为，仅通过蚀刻或洗涤使硅片等半导体制品(被加工物)表面清洁化是不够的，还应着眼于构成半导体制造装置的成型零件、特别是密封材料的清洁化。特别地，在半导体制造装置中使用的密封材料等成型制品方面着眼，这是因为考虑到微粒和金属成分附着在半导体表面上，是使合格率降低的原因。作为密封材料等成型制品的清洁方法，过去一般采用例如使脱脂棉等含浸异丙醇等溶剂并用该脱脂棉擦拭的方法，但成型制品的微粒附着量和金属成分含量依然不能充分降低，再有，即使使用在硅片等的洗涤过程中使用的上述药品，也不能达到与半导体的高度集成化和电路图案微细化相对应的足够的清洁化。鉴于以上的事实，本专利技术的目的在于，提供一种能够获得已被清洁了的半导体制造装置用氟橡胶类成型制品的新型并且有效的洗涤方法。另外，本专利技术的目的还在于，提供一种能够充分降低成为密封材料等成型制品原因的微粒和金属成分的半导体制造装置。专利技术的公开本专利技术涉及一种半导体制造装置用氟橡胶类成型制品的洗涤方法，该方法是用金属含量在1.0ppm以下、且含有粒径在0.2μm以上的微粒不超过300个/ml的超纯水，在优选80℃以上的温度下洗涤氟橡胶类成型制品1次或2次以上。本专利技术还涉及一种半导体制造装置用氟橡胶类成型制品的洗涤方法，该方法是用金属含量在1.0ppm以下、且含有粒径在0.5μm以上的微粒不超过200个/ml的在洗涤温度下的液态有机化合物或无机化合物，洗涤氟橡胶类成型制品1次或2次以上。另外，本专利技术还涉及一种半导体制造装置用氟橡胶类成型制品，它是采用干式蚀刻法洗涤氟橡胶类成型制品而成。另外，本专利技术还涉及一种半导体制造装置用氟橡胶类成型制品的洗涤方法，它是采用萃取法洗涤氟橡胶类成型制品而成。另外，本专利技术还涉及一种半导体制造装置用氟橡胶类成型制品的洗涤方法，该方法是，按不同顺序进行用具有氧化能力的有机化合物或无机化合物的洗涤方法和用金属溶解能力高的无机化合物的洗涤方法，然后进行用超纯水的洗涤方法，接着，在清洁的惰性气体或空气环境气氛下除去水分。进一步地，本专利技术还涉及一种半导体制造装置用氟橡胶类成型制品的洗涤方法，用金属含量在1.0ppm以下、且含有粒径在0.5μm以上的微粒不超过200个/ml的H2SO4和H2O2的混合水溶液洗涤后，用金属含量在1.0ppm以下、且含有粒径在0.5μm以上的微粒不超过200个/ml的HF水溶液洗涤，再用金属含量在1.0ppm以下、且含有粒径在0.2μm以上的微粒不超过300个/ml的超纯水洗涤，接着，在0.2μm以上粒径的微粒不超过26个/升且有机成分含量(TOC)在0.1ppm以下的惰性气体或空气环境气氛下除去水分。进一步地，本专利技术还涉及一种半导体制造装置用氟橡胶类成型制品，其表面上存在的0.2μm以上粒径的微粒在20万个/cm2以下。进一步地，本专利技术还涉及一种半导体制造装置用氟橡胶类成型制品，它是单独采用上述的洗涤方法或将2种以上方法组合起来洗涤的氟橡胶类成型制品，其表面上存在的0.2μm以上粒径的微粒在20万个/cm2以下。本专利技术还涉及装配有上述氟橡胶类成型制品的半导体制造装置，例如蚀刻装置、洗涤装置、曝光装置、研磨装置、成膜装置、扩散·离子注入装置等。实施专利技术的最佳方案首先说明本专利技术中构成半导体制造装置用的氟橡胶类成型制品。作为本专利技术中构成半导体制造装置用氟橡胶类成型制品的氟橡胶，如果是以往用于密封材料等的成型用材料，则没有特别的限制，可以举出例如式(1)或者式(2)表示的2元共聚物橡胶、式(3)表示的3元共聚物橡胶、式(4)表示的3元共聚物橡胶、式(5)表示的3元共聚物橡胶等式(1) (式中，m为85～60，n为15～40)式(2) (式中，m为95～50，n为5～50，Rf为碳原子数1～8的全氟烷基)式(3) (式中，l为85～20，m为0～40，n为15～40)式(4) (式中；l为95～45，m为0～10，n为5～45，X、Y和Z各自独立，为氟原子或氢原子，Rf为碳原子数1～8的全氟烷基)式(5) (式中，l为95～35，m为0～30，n为5～35，Rf为碳原子数1～8的全氟烷基)其中，从耐药品性、耐热性、耐等离子体性方面考虑，优选使用式(1)或式(2)表示的2元共聚物橡胶或式(3)表示的3元共聚物橡胶。进一步地，作为本专利技术中构成氟橡胶类密封材料的氟橡胶，可以举出由弹性链段共聚物与非弹性链段共聚物构成的共聚物。弹性链段是指非晶性且玻璃化转变温度在25℃以下的链段，作为具体的优选组成，为例如TFE/PAVE/提供固化部位的单体(45～90/10～50/0～5。摩尔％，以下相同)、更优选的组成为45～80/20～50/0～5，特别优选为53～70/30～45/0～2。作为提供固化部位的单体，可以举出例如偏氟乙烯、CX2＝CX-Rf3CHRI(式中，X为H、F或CH3，Rf3为氟代亚烷基、全氟亚烷基、氟代聚氧亚烷基或全氟聚氧亚烷基，R为H或CH3)表示的含碘单体、 (式中，m为0～5，m为1～3)表示的含腈基单体、含溴单体等，通常情况下，适宜使用含碘单体等。另外，作为非弹性链段的共聚物，可以举出(1)VdF/TFE(0～100/100～0)，特别是VdF/TFE(70～99/30～1)，PTFE或PVdF；(2)乙烯/TFE/HFP(6～43/40～81/10~30)、3，3，3-三氟丙烯-1，2-三氟甲基-3，3，3-三氟丙烯-1/PAVE(40～60/60～40)；(3)TFE/CF2＝CF-Rf1(显示非弹性的组成范围，即，CF2＝CF-Rf1在15摩尔％以下。式中，Rf1为CF3或ORf2(Rf2为碳原子数1～5的全氟烷基))；(4)VdF/TFE/CTFE(50～99/30～0/20～1)；(5)VdF/TFE/HFP(60～99/30～0/10～1)；(6)乙烯/TFE(30～60/70～40)；(7)聚氯三氟乙烯(PCTFE)；(8)乙烯/CTFE(30～60/70～40)等。其中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体制造装置用氟橡胶成型制品的洗涤方法，它是采用干式蚀刻法和/或萃取法洗涤氟橡胶成型制品。2.按照权利要求1的半导体制造装置用氟橡胶成型制品的洗涤方法，它是采用干式蚀刻法洗涤氟橡胶成型制品。3.按照权利要求1的半导体制造装置用氟橡胶成型制品的洗涤方法，它是采用萃取法洗涤氟橡胶成型制品。4.按照权利要求1的半导体制造装置用氟橡胶成型制品的洗涤方法，它是采用干式蚀刻法和萃取法的组合洗涤氟橡胶成型制品。5.权利要求1～4中任一项所述的洗涤方法，其中，氟橡胶成型制品为氟橡胶密封材料。6.按照权利要求1～4中任一项所述的洗涤方法洗涤得到的半导体制造装置用氟橡胶成型制品，其表面上存在的粒径...

【专利技术属性】
技术研发人员：东野克彦，野口刚，岸根充，长谷川雅典，
申请(专利权)人：大金工业株式会社，
类型：发明
国别省市：