【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体芯片，尤其涉及一种集成有用以在操作中降低delta-I噪声的部分嵌埋型解耦合电容的半导体芯片。
技术介绍
在半导体芯片通常组态中，电源线与地线连通至集成电路中的逻辑闸。外界电源供应器提供电流，使之从电源线经过逻辑闸而最终流至地线。在逻辑闸的开关操作中，电流在短时间内发生大量的变化。电流中的变化因半导体芯片电阻性、电容性与可能的电感性本质而在电源线与地线的电压中造成delta-I噪声。对于具有高电路集成度的半导体芯片以高速操作时而言，此现象变得更加显著。具体而言，在深次微米制程技术的领域中，电源供应电压降低至较低的位准，导致具有高电路集成度的半导体芯片对于delta-I噪声的敏感性增加。在此情况中，delta-I噪声对于半导体芯片的最大操作频率具有直接的反效果。图1显示安装于引线框架上的通常半导体芯片的顶视图。如图1所示，半导体芯片10上设有多个焊垫11。焊垫11形成于身为半导体芯片10的最顶层的钝化层12上，且经由钝化层12上所打开的通孔而连接于下方对应的半导体芯片10的嵌埋的金属层(未图标)。每一焊垫11经由一个接合配线15连接至引线...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种部分嵌埋型解耦合电容，用以降低delta-I噪声，用于半导体芯片中，该半导体芯片包括多个嵌埋的金属层、一个钝化层，形成于该多个嵌埋的金属层上方作为该半导体芯片的一个最顶层，以及多个焊垫，配置于该钝化层上，该电容包含一个表面平面型金属图案，形成于该钝化层上且电连接至该多个嵌埋的金属层中的一层，其特征在于该表面平面型金属图案作为该解耦合电容的一个电极，该多个嵌埋的金属层中的其它层的至少一层作为该解耦合电容的另一电极，并且该钝化层作为该解耦合电容的一个介电层，且该表面平面型金属图案还作为一个散热器，用以经由该多个嵌埋的金属层中的电连接至该表面平面型金属图案的该层而直接从该半导体芯片的内部散热。2.如权利要求1所述的部分嵌埋型解耦合电容，其特征在于，该表面平面型金属图案经由该多个焊垫中的一个而电连接至该多个嵌埋的金属层中的该层。3.如权利要求1所述的部分嵌埋型解耦合电容，其特征在于，该半导体芯片还包括一个通孔，打开在该钝化层上的分离于该多个焊垫的位置处，该通孔向下穿过该钝化层以露出该多个嵌埋的金属层中的一层，并且该表面平面型金属图案覆盖且填满该通孔，以电连接至该多个嵌埋的金属层的该露出层。4.如权利要求1所述的部分嵌埋型解耦合电容，其特征在于，该多个嵌埋的金属层中电连接至该表面平面型金属图案的该层是该半导体芯片的一个电源层。5.如权利要求1所述的部分嵌埋型解耦合电容，其特征在于，该多个嵌埋的金属层中电连接至该表面平面型金属图案的该层是该半导体芯片的一个接地层。6.一种半导体芯片，其特征在于，包含多个嵌埋的金属层；一个钝化层，形成于...
【专利技术属性】
技术研发人员：施庆章，涂俊安，许宗旗，林蔚峰，吕明圜，
申请(专利权)人：矽统科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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