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一种部分嵌埋型解耦合电容，用以降低ｄｅｌｔａ－Ｉ噪声，用于半导体芯片中，该半导体芯片包括多个嵌埋的金属层、一个钝化层，形成于该多个嵌埋的金属层上方作为该半导体芯片的一个最顶层，以及多个焊垫，配置于该钝化层上，该电容包含一个表面平面型金属图案...
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