【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种新的有机半导体聚合物和使用该聚合物的有机薄膜晶体管，特别是涉及一种组合结构的聚噻吩基噻唑衍生物，其中具有高的电子亲合性的噻唑环，也就是n-型半导体性能，与具有p-型半导体性能的噻吩单元相组合，因此显示p-型和n-型半导体特性。相关技术的描述最近，已积极地研究小分子的诸如并五苯作为有机半导体材料的用途。另一方面，特别关注于集中于聚噻吩的高分子。高分子引人注目是由于其与低分子相比较具有低的电荷迁移率和可加工性。另外，由于高分子有机半导体材料能以溶液的形式应用，这和低分子不一样，它们能通过丝网印刷、墨水喷射、和滚动印刷技术而形成薄膜。这种高分子有机半导体材料有助于在塑料膜上以低成本制造大面积晶体管。Cambridge大学、Seiko Epson公司、Philips公司等，已经使用聚噻吩基材料诸如P3HT(聚(3-己基噻吩))或F8T2(包括二辛基芴和并噻吩(其比例为8∶2)的共聚物)制造了高分子有机薄膜晶体管的实验样品。这些有机薄膜晶体管(在下文中称为‘OTFT’)具有约0.02cm2/Vs的低电荷迁移率，这不及上述的并五苯，但不需要高的工作频率...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于薄膜晶体管的有机半导体聚合物，该薄膜晶体管在聚合物的主链中含有一种表示n-型半导体性能的单元和一种表示p-型半导体性能的单元。2.根据权利要求1的有机半导体聚合物，其特征在于，该有机半导体聚合物是如下化学式1所示的聚噻吩基噻唑衍生物， 其中，R1和R4分别独立地表示氢原子、或C1～9直链、支链或环烷基；R2、R3和R5分别独立地表示氢原子、C1～12直链或支链烷基、-(CH2O)n-R6、-(CH2)n-C(O)OR6、-(CH2)n-OC(O)R6、-(CH2)n-OC(O)OR6或-(CH2)n-C(O)OCH2OR6(其中，n是0-6的整数，并且R6是氢原子、或C1～12直链、支链或环烷基)；并且1是0.01～1.0的实数，m是0.0～0.99的实数，只要1和m的和等于1。3.一种制备下化学式1所示的聚噻吩基噻唑衍生物的方法， 其中，R1和R4分别独立地表示氢原子、或C1～9直链、支链或环烷基；R2、R3和R5分别独立地表示氢原子、C1～12直链或支链烷基、-(CH2O)n-R6、-(CH2)n-C(O)OR6、-(CH2)n-OC(O)R6、-(CH2)n-OC(O)OR6或-(CH2)n-C(O)OCH2OR6(其中，n是0-6的整数，并且R6是氢原子、或C1～12直链、支链或环烷基)；并且l是0.01～1.0的实数，m是0.0～0.99的实数，只要l和m的和等于1，该聚噻吩基噻唑衍生物是通过下化学式2所示的单体和选择性地混入下化学式3所示的单体在下化学式4所示的催化剂存在条件下、氮气气氛中、温度60～80℃聚合48～72小时而形成的， 式2中，R1到R4的定义与化学式1相同，X是卤素原子， 式3中，R5的定义与化学式1相同，X是卤素原子，Ni(O)Lm(4)式4中，Lm表示至少两种选自cod(1，5-环辛二烯)、2，2’-联吡啶、和和三苯膦的配体化合物。4.一种有机薄膜晶体管，该有机薄膜晶体管包含有栅电极、栅绝缘层、有机活性层和源/漏电极组成，其中该有机活性层由有机半导体聚合物组成，该有机半导体...
【专利技术属性】
技术研发人员：李芳璘，郑银贞，慎重汉，具本原，姜仁男，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：
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