探针的制造方法及探测卡的制造方法技术

一种探测卡的制造方法，其特征在于，包括使特有过冷却液体温度域，具有所定形状的若干个非晶质合金层形成于所定基板的阶段，使非晶质合金层加热至过冷却液体温度域的阶段、使非晶质合金层冷却至比过冷却液体温度域较低温度的阶段，以及在使非晶质合金层冷却至比过冷却液体温度域较低温度的状态，将所定基板的最少部分去除的阶段。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术是关于一种。特别本专利技术是关于由非晶质(amorphous)合金所形成的探针。并且本申请案是与下述的日本专利申请案有关联。对于认定可将参照文献编入有所指定的国定，参照下述的申请案所述内容编入本申请案为本申请案的所述的一部分。日本专利特愿2001-159629申请日期2001年5月28日。
技术介绍
从来，在硅基板形有所定形状的金属层后借由去除该硅基板，可得具有若干个探针(probe pin)的探测卡(probe card)。从来的探测卡是在其制程使硅基板堆积金属层时，该金属层具有内部应力。因而，去除硅基板时，由该内部应力无法保持在硅基板形成时的形状，要获得所期望的形状的探针极为困难。因此本专利技术是提供，可解决上述问题点的一种为目的。此目的可借由在申请专利范围的独立项所述的特征的组合加以达成。又依附项是规定本专利技术的更有利的具体例。
技术实现思路
兹为解决上述课题，依照本专利技术的第一实施例，提供一种探测卡的制造方法，是以电气接连于设在被试验电路上的接连端子，以使被试验电路、该被试验电路和试验的试验装置之间实行讯号传送的具有若干个探针的探测卡的制造方法，其特征在于包括为形成若干个探针的探针形成基板的准备阶段(step)。在探针形成基板的若干个领域，形成持有过冷却液体温度域，具有所定形状的非晶质合金层的形成阶段。使非晶质合金层加热至过冷却液体温度域的加热阶段。使非晶质合金层冷却至比过冷却液体温度域较低温度的冷却阶段。准备具有传送讯号的传送线路，保持非晶质合金层的保持基板的准备阶段。使非晶质合金层的一部分与传送线路接合的阶段。以及在此过冷却温度域较低温的冷却状态，使探针形成基板的最少一部分去除的阶段等。并且，探针形成基板的准备阶段是包括具有底面与倾斜面的探针形成沟部的形成阶段。其中，底面是设成对探针形成基板的所定的面大略平行。倾斜面是对该底面有所定的角度，其一段设成从该底面延长，另一端设成从所定的面延长。非晶质合金层的形成阶段是可使非晶质合金层从底面至倾斜面及所定的面加以堆积。又，探针形成沟部的形成阶段是可借由使探针形成基板以各方异性蚀刻，使探针形成沟部形成于探针形成基板。又，探针形成基板的准备阶段，更再具有突起部形成沟部的形成阶段，以使在底面形成非晶质合金层的领域，形成非晶质合金层的突起部，非晶质合金层的形成阶段，可更再使非晶质合金层形成于突起部形成沟部。并且，关于第一实施例的探测卡的制造方法，可更再包括在非晶质合金层的表面形成导电层的形成阶段。又，接合的阶段，可使非晶质合金层的一部分与传送线路，在加热至过冷却液体温度域的状态接合。并且，关于第一实施例的探测卡的制造方法，更再包括接合构件的形成阶段，以便在非晶质合金层及传送线路的最少一方形成接合构件，使非晶质合金层与传送线路接合，接合的阶段，可经接合构件使非晶质合金层与传送线路接合。又，关于第一实施例的探测卡的制造方法，更再包括，使探针形成基板，以按每一探针加以分割的阶段。接合的阶段可使设在分割的探针形成基板的非晶质合金层与传送线路接合。依照本专利技术的第二实施例，提供一种探针的制造方法，是以电气的接连于设在被试验电路上的接连端子，使讯号供给被试验电路的探针的制造方法，其特征在于，包括在形成探针的探针形成基板，使具有过冷却液体温度域的非晶质合金以所定形状加以形成的阶段，使非晶质合金加热至过冷却液体温度域的阶段，使非晶质合金冷却的阶段，以及在使非晶质合金冷却至比过冷却液体温度域较低温度的状态，将探针形成基板的最少部分去除的阶段。尚且，上述的专利技术概要并非列举本专利技术的必要特征的全部，此等特征群的副次组合也为一种专利技术。为让本专利技术的上述原理和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举一个较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下。附图说明图1是表示关于本专利技术的一个实施例的探测卡10。图2a～i是表示关于本专利技术的一个实施例的探测卡的制造方法。图3a～f是表示形成探针阶段的其它例。图4a～d是表示图2a～i所示探测卡10的制造方法的其它例的流程图。符号说明10 探测卡12 探针基板14 探针18 自由端22 突起部24 保持端部26 倾斜部28 自由端部40 第一基板 42第一平面部44倾斜面部50第二基板52第二平面部54突起部形成沟部60非晶质合金层62接合构件64传送线路66导电层70、76粘附层74金属层78阻障层96第一倾斜面部98第二倾斜面部具体实施方式以下，经专利技术的实施例说明本专利技术，以下的实施例并非限定申请专利范围的专利技术，又实施例中所标明的特征组合的全部也非限定为专利技术的解决手段所必须的。图1是表示关于本专利技术的一个实施例的探测卡10。探测卡10包括若干个探针14、探针基板12及接合构件62。其中，若干个的探针14是由持有过冷却液体温度域的非晶质合金所形成。探针基板12是具有传送探针14向其接触端子供给讯号的传送电路，并保持若干个的探针14。接合构件62是使探针14与该传送线路接合。依照本实施例的探测卡10适合于例如在使试验半导体组件等所设电路的试验装置，该半导体组件的接触端子以电气的接连时加以使用。在本实施例的探针14是具有保持端部24、倾斜部26与自由端部28。其中，保持端部24是保持于探针基板12。倾斜部26是从该保持端部24延长，对该保持端部24设成倾斜所定角度。自由端部28是设成对保持端部24大略平行。然而保持端部24与设在探针基板12的传送线路以电气的接连。借由自由端部28对保持端部24以大略平行，即，对探针基板12及接连端子设成大略平行，可使自由端部28与接连端子的接触面积加大。由此能使探针14与接连端子的接触电阻低减，能以良好效率使试验讯号供给于被试验电路。并且，倾斜部26是在探针14的自由端部28接触于接连端子时，对该自由端部28按压接连端子具有弹性部的机能。自由端部28是例如与设在半导体组件等的接连端子以电气的接触。自由端部28是以具有与该接连端子接触的突起部为宜。此种场合的突起部是例如以电镀或喷射印刷(jet printing)形成于自由端部为宜。借由自由端部28有突起部可更确实使探针14以电气的接连于接连端子。又若干个的探针14所含的自由端部28是可从探针基板12设成在相异高度。借由使自由端部28设在相异高度，当自由端部28接触于接连端子时，可使各自由端部28以所期望的力按压于接连端子。又，在接连端子各设在相异高度的场合，可以所期望的力使自由端部28按压于接连端子。并且，在其它例，也可借由使若干个的探针14的倾斜部26设成相异长度，使各自由端部28以所期望的力按压于接连端子。图2a～i是表示关于本专利技术的一个实施例的探测卡的制造方法。首先如图2a所示，准备具有形成探针14的保持端部24的第一平面部42，和设成对第一平面42有所定角度θ，一端延长于第一平面42的倾斜面部44的第一基板40。第一基板40是例如以硅基板等的单结晶基板为所期望的。角度θ是以30度至60度为宜，并且，以54.7度为更好。又，第一基板40是在基板表面的若干个领域，以各有倾斜面部44为宜。此种场合，若干个倾斜面部44是可设成各配置在略同一面。然而，如图2b所示，使第一基板40贴合于具有形成探针14的自由端18的第二平面部52的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种探测卡的制造方法，是具有若干个探针以电气的接连于设在一个被试验电路上的接连端子，在该被试验电路与试验该被试验电路的一个试验装置之间，实行讯号传送的探测卡的制造方法，其特征在于，包括：　　　　为形成这些若干个探针的一个探针形成基板的准备阶段；　　　　在该探针形成基板的若干个领域，形成持有一个过冷却液体温度域，具有所定形状的非晶质合金层的阶段；　　　　使该非晶质合金层加热至该过冷却液体温度域的阶段；　　　　使该非晶质合金层冷却至比该过冷却液体温度较低温度的阶段；　　　　具有传送该讯号的传送线路，保持该非晶质合金层的一个保持基板的准备阶段；　　　　使该非晶质合金层的一部分与该传送线路接合的阶段；以及　　　　该非晶质合金层在比该过冷却液体温度域较低温度的状态，使该探针形成基板的最少部分去除的阶段。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2001-5-28 159629/20011.一种探测卡的制造方法，是具有若干个探针以电气的接连于设在一个被试验电路上的接连端子，在该被试验电路与试验该被试验电路的一个试验装置之间，实行讯号传送的探测卡的制造方法，其特征在于，包括为形成这些若干个探针的一个探针形成基板的准备阶段；在该探针形成基板的若干个领域，形成持有一个过冷却液体温度域，具有所定形状的非晶质合金层的阶段；使该非晶质合金层加热至该过冷却液体温度域的阶段；使该非晶质合金层冷却至比该过冷却液体温度较低温度的阶段；具有传送该讯号的传送线路，保持该非晶质合金层的一个保持基板的准备阶段；使该非晶质合金层的一部分与该传送线路接合的阶段；以及该非晶质合金层在比该过冷却液体温度域较低温度的状态，使该探针形成基板的最少部分去除的阶段。2.如权利要求1所述的一种探测卡的制造方法，其特征在于，该探针形成基板的准备阶段，包括具有对该探针形成基板的所定面设成大略平行的一个底面，对该底面以有所定角度，一端设成从该底面延长，他端设成从该所定面延长的一个倾斜面的探针形成沟部的形成阶段；该非晶质合金层的形成阶段是使该非晶质合金层，从该底面至该倾斜面及该所定面加以堆积。3.如权利要求2所述的一种探测卡的制造方法，其特征在于，该探针形成沟部的形成阶段是借由使该探针形成基板以各方异性蚀刻使该探针形沟部形成于该探针形成基板。4.如权利要求2所述的一种探测卡的制造方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：蛸岛武尚，奈良崎亘，秦诚一，下河边明，
申请(专利权)人：爱德万测试株式会社，秦诚一，下河边明，
类型：发明
国别省市：JP[日本]