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一种探测卡的制造方法,其特征在于,包括使特有过冷却液体温度域,具有所定形状的若干个非晶质合金层形成于所定基板的阶段,使非晶质合金层加热至过冷却液体温度域的阶段、使非晶质合金层冷却至比过冷却液体温度域较低温度的阶段,以及在使非晶质合金层冷却至...该专利属于爱德万测试株式会社;秦诚一;下河边明所有,仅供学习研究参考,未经过爱德万测试株式会社;秦诚一;下河边明授权不得商用。
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一种探测卡的制造方法,其特征在于,包括使特有过冷却液体温度域,具有所定形状的若干个非晶质合金层形成于所定基板的阶段,使非晶质合金层加热至过冷却液体温度域的阶段、使非晶质合金层冷却至比过冷却液体温度域较低温度的阶段,以及在使非晶质合金层冷却至...