【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体器件的电容器底电极及其形成方法，更具体涉及柱形电容器的底电极及其形成方法。
技术介绍
近年来随着计算机广泛使用，半导体器件的需要增加。由此，需要具有高响应速度和高存储容量的半导体器件。为了满足这些需要，半导体器件制造技术取得了进展提高了集成度、响应速度以及可靠性。例如，半导体器件如动态随机存取存储(DRAM)器件具有大的存储容量，同时信息数据自由地输入DRAM器件和/或从DRAM器件输出。DRAM器件一般包括存储单元和周边电路区域，存储单元存储电荷形式的信息数据，周边电路区域控制信息数据。DRAM器件的存储单元通常包括一个存取晶体管和一个存储电容器。为了实现高度集成的DRAM器件，对微小存储单元中的电容器形状进行了各种研究，以便DRAM器件具有充足的存储容量。可以使用几种方法形成电容器，确保充足的存储容量。通常，它们包括使用高介电常数材料作为介质层或通过使用半球硅颗粒(HSG)生长工艺增加电容器的有效面积。但是，HSG生长工艺需要复杂的和昂贵的步骤，减小DRAM器件的生产率。此外，当高介电常数材料用作介质层时，由于形成电容器时工艺变化，因此也可...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种形成半导体器件的电容器底电极的方法，包括形成具有第一刻蚀速率和第一接触孔的第一绝缘层图形；在接触孔中形成接触栓塞；在第一绝缘层图形和接触栓塞上形成具有第二刻蚀速率的第二绝缘层，其中第二刻蚀速率大于第一刻蚀速率；形成具有第二接触孔的第二绝缘层图形，通过刻蚀第二绝缘层露出接触栓塞，其中根据第二刻蚀速率和第一刻蚀速率之间的刻蚀速率差值减小邻近接触栓塞的部分第一图形的刻蚀量；在第二接触孔的侧壁和底部正面连续地形成导电薄膜，其中导电薄膜成为底电极；以及除去第二绝缘层图形。2.如权利要求1的方法，其中第一绝缘层图形包括具有约3.5％至4.5％重量的硼和约3.3％至3.7％重量的磷的硼磷硅玻璃(BPSG)薄膜，其中第二绝缘层图形包括具有约2.3％至2.7％重量的硼和约2.25％至2.65重量％的磷的BPSG薄膜。3.如权利要求1的方法，还包括形成第一绝缘层图形之后，进行第一清洗工序；以及形成第二绝缘层图形之后，进行第二清洗工序。4.如权利要求3的方法，其中进行第一清洗工序和进行第二清洗工序包括进行选自由使用标准清洗(SC-1)液进行清洗工序、使用氢氟酸(HF)溶液进行清洗工序以及顺序地使用标准的清洗1(SC-1)液或氢氟酸(HF)溶液进行清洗工序构成的组中的一种清洗工序。5.如权利要求1的方法，还包括在第一接触孔的侧壁上形成隔片。6.如权利要求5的方法，其中在第一接触孔的侧壁上形成隔片包括在第一接触孔的侧壁和底部正面上以及在第一绝缘层图形上形成薄膜，其中该薄膜包括选自由氮化硅膜、氧化物膜以及氮化硅和氧化物的复合膜构成的组中的一种薄膜；以及刻蚀该薄膜。7.如权利要求1的方法，还包括在第一绝缘层图形和接触栓塞上形成刻蚀停止层。8.如权利要求7的方法，其中在第一绝缘层图形和接触栓塞上形成刻蚀停止层包括形成具有选自由氮化硅膜、氧化物膜以及包括氮化硅和氧化物的复合膜构成的组中的一种薄膜的刻蚀停止层。9.如权利要求8的方法，还包括除去刻蚀停止层。10.如权利要求9的方法，其中除去刻蚀停止层包括如果刻蚀停止层包括氮化硅膜，那么用使用磷酸溶液的湿刻蚀工艺除去刻蚀停止层；如果刻蚀停止层包括氧化物膜，那么用使用LAL溶液的湿刻蚀工艺除去刻蚀停止层；以及如果刻蚀停止层包括复合薄膜，那么用顺序地使用磷酸溶液和LAL溶液的湿刻蚀工艺除去刻蚀停止层。11.如权利要求1的方法，还包括在由第二接触孔露出的部分第一绝缘图形上和第二接触孔的侧壁上形成保护层。12.如权利要求11的方法，其中保护层包括选自氮化硅膜、氧化铝膜以及包括氮化硅膜和氧化铝膜的复合薄膜构成的组中的一种薄膜。13.如权利要求12的方法，还包括部分地除去保护层，以便邻近接触栓塞留下部分保护层。14.如权利要求13的方法，其中部分地除去保护层包括如果保护层包括氮化硅膜，那么用使用磷酸溶液的湿刻蚀工艺部分地除去保护层；如果保护层包括氧化铝膜，那么用使用LAL溶液的湿刻蚀工艺部分地除去保护层；以及如果保护层包括复合薄膜，那么用顺序地使用磷酸溶液和LAL溶液的湿刻蚀工艺部分地除去保护层。15.如权利要求1的方法，其中形成第二绝缘层图形包括使用选自由干刻蚀工艺和湿刻蚀工艺构成的组中的一种工艺来形成第二绝缘层图形。16.如权利要求2的方法，其中用使用LAL溶液的湿刻蚀工艺除去第二绝缘层图形。17.如权利要求1的方法，还包括在第二绝缘层图形上形成具有第三刻蚀速率的第三绝缘层，其中第三刻蚀速率小于第二刻蚀速率；以及形成具有第三接触孔的第三绝缘层图形，第三接触孔露出部分第二绝缘层图形，通过刻蚀第三绝缘层形成第二接触孔，其中根据第三刻蚀速率和第二刻蚀速率之间的刻蚀速率差值，第三接触孔的临界尺寸小于第二接触孔的临界尺寸。18.如权利要求17的方法，其中第三绝缘层包括正硅酸乙酯(TEOS)。19.如权利要求17的方法，其中形成第三绝缘层图形包括使用选自由干刻蚀工艺和湿刻蚀工艺构成的组中的一种工艺形成第三绝缘层图形。20.如权利要求18的方法，还包括除去第三绝缘层图形。21.如权利要求20的方法，其中除去第三绝缘层图形包括用使用LAL溶液的湿刻蚀工艺除去第三绝缘层图形。22.一种形成半导体器件电容器的底电极的方法，包括形成具有第一接触孔的第一绝缘层图形；在第一接触孔中形成接触栓塞；在第一绝缘层图形上形成第二绝缘层图形，第二绝缘层图形具有第二接触孔...
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