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一种形成半导体器件的电容器底电极的方法，包括：　　　　形成具有第一刻蚀速率和第一接触孔的第一绝缘层图形；　　　　在接触孔中形成接触栓塞；　　　　在第一绝缘层图形和接触栓塞上形成具有第二刻蚀速率的第二绝缘层，其中第二刻蚀速率大于第一刻蚀速率；...
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