倒装封装结构制造技术

一种覆晶封装结构，包含：一封装基板，具有一内部线路，且其表面具有复数个以一定间隙排列的第一接点、及一导线区；一ＩＣ芯片，电性连结于封装基板的表面；一填充物，填充于封装基板与ＩＣ芯片之间；以及一电性保护装置，具有一凸出部与一边缘延伸部，其中凸出部覆盖ＩＣ芯片，而边缘延伸部延伸至封装基板的表面而覆盖导线区，并通过一接合物质连接边缘延伸部与封装基板的表面而将电性保护装置固定于封装基板上，且边缘延伸部与封装基板的表面之间的间隙不大于４０ｍｉｌ．；本发明专利技术通过一电性保护装置控制并调整覆晶封装结构中传输线的特性阻抗变化，有效降低导线之间的互感现象，因此可提升覆晶封装结构中的电路信号品质及系统稳定度，同时又保护覆晶封装结构中的ＩＣ芯片免遭不正常的电路信号损坏。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体装置，特别是有关于一种覆晶封装结构。
技术介绍
请参考图7A，显示一传统的覆晶封装结构700。所谓覆晶封装是在IC芯片180的主动表面或在覆晶封装基板(substrate)702一表面上的接点710上形成导电凸块790后，将IC芯片180以主动表面朝下的方式与覆晶封装基板702进行接合，并在IC芯片180与覆晶封装基板702之间形成一填充物770且填满导电凸块790之间的间隙后，以例如植球(ball placement)等方式在覆晶封装基板702的另一表面的接点730上形成作为引脚的锡球732，而形成一覆晶封装结构的技术。相较于传统焊线接合(wire bonding)封装的形式，封装结构的面积必须迁就上述焊线的布局(lay-out)而必须大于IC芯片的面积；在覆晶封装结构中，IC芯片与覆晶封装基板的接点范围就仅仅分布在上述IC芯片本身的面积范围，有助于特别是接脚数小于200的封装结构或封装基板的面积可缩小至IC芯片面积的1.2倍以下—即是所谓的芯片尺寸封装(chip-scale package；CSP)。而在中央处理器(central process unit本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种覆晶封装结构，其特征是：至少包含：　　　　一封装基板，具有一内部线路，且该封装基板的一表面具有复数个以一定间隙排列的第一接点，且该表面具有一导线区，位于该些第一接点以外的区域；　　　　一ＩＣ芯片，组装于该封装基板的该表面，该ＩＣ芯片通过复数个以一定间隙排列在该ＩＣ芯片与该些第一接点之间的导电凸块与该封装基板形成电性连结；　　　　一填充物，形成于该封装基板与该ＩＣ芯片之间，且该填充物还填充在该些导电凸块的间隙之间；以及　　　　一电性保护装置，具有一凸出部与一边缘延伸部，其中该凸出部覆盖该ＩＣ芯片，而该边缘延伸部延伸至该封装基板的该表面而覆盖该导线区，并通过一接合物质连接该边缘延伸部与该封装基...

【技术特征摘要】
1.一种覆晶封装结构，其特征是至少包含一封装基板，具有一内部线路，且该封装基板的一表面具有复数个以一定间隙排列的第一接点，且该表面具有一导线区，位于该些第一接点以外的区域；一IC芯片，组装于该封装基板的该表面，该IC芯片通过复数个以一定间隙排列在该IC芯片与该些第一接点之间的导电凸块与该封装基板形成电性连结；一填充物，形成于该封装基板与该IC芯片之间，且该填充物还填充在该些导电凸块的间隙之间；以及一电性保护装置，具有一凸出部与一边缘延伸部，其中该凸出部覆盖该IC芯片，而该边缘延伸部延伸至该封装基板的该表面而覆盖该导线区，并通过一接合物质连接该边缘延伸部与该封装基板的该表面而将该电性保护装置固定于该封装基板上，且该边缘延伸部与该封装基板的该表面之间的间隙不大于40mil.。2.如权利要求1所述的覆晶封装结构，其特征是该凸出部还通过该接合物质与该IC芯片连接。3.如权利要求1所述的覆晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：林蔚峰，薛英杰，吴忠儒，
申请(专利权)人：矽统科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]