【技术实现步骤摘要】
半导体结构的形成方法及半导体结构
[0001]本专利技术涉及半导体领域,特别涉及一种半导体结构的形成方法及半导体结构。
技术介绍
[0002]动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,简称DRAM)是一种广泛应用于计算机系统的半导体存储器,主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多少来代表一个二进制比特(bit)。因此,形成的电容位置的排布以及电容与其它结构的位置关系在DRAM的形成过程中显得十分重要。
[0003]目前主要通过堆叠结构来支撑并放置电容,从而避免DRAM中电容的倾倒问题。然而专利技术人发现,现有技术中的堆叠结构的设置并不牢固,堆叠结构的倒塌会导致整个DRAM的报废,进而严重影响了DRAM的良率。
技术实现思路
[0004]本专利技术实施例提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构,通过加固堆叠结构,防止堆叠结构出现倒塌的问题,从而提高了DRAM的良率。
[0005]为解决上述技术问题,本专利技术的实施例提供了一种半导体结构的形成方法,包括:提供基底 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底中至少包括导电层;所述基底顶部表面具有底层支撑层以及位于所述底层支撑层顶部表面的堆叠结构,所述堆叠结构包括依次堆叠形成的牺牲层和支撑部;刻蚀部分所述堆叠结构以及所述底层支撑层,暴露出所述导电层,形成通孔;横向刻蚀所述通孔侧壁暴露出的部分宽度的所述支撑部,形成空隙;形成填充所述空隙的保护层;在所述通孔侧壁以及所述保护层侧壁形成电连接所述导电层的下电级;去除所述牺牲层。2.根据权利要求1所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述堆叠结构包括依次形成的第一堆叠结构和第二堆叠结构;所述第一堆叠结构位于所述底层支撑层顶部表面,所述第一堆叠结构包括依次形成的第一牺牲层和中间支撑部;所述第二堆叠结构位于所述第一堆叠结构顶部表面,所述第二堆叠结构包括依次形成的第二牺牲层和顶层支撑部;所述横向刻蚀所述通孔侧壁暴露出的部分宽度的所述支撑部,形成空隙包括:横向刻蚀所述通孔侧壁暴露出的部分宽度的所述中间支撑部,形成空隙。3.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述中间支撑部包括:依次堆叠形成第一支撑层、缓冲层和第二支撑层。4.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第二支撑层和所述第一支撑层的材料包括碳氮化硅,且所述第二支撑层中的氮含量大于所述第一支撑层的氮含量;所述缓冲层的材料包括氮化硅。5.根据权利要求3所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述第二支撑层和所述第一支撑层的材料包括碳氮化硅,且所述第一支撑层中的碳含量大于所述第二支撑层的碳含量;所述缓冲层的材料包括氮化硅。6.根据权利要求3~5任一项所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,形成的所述第一支撑层、所述缓冲层和所述第二支撑层的厚度关系范围为2:1:2<所述第一支撑层:所述缓冲层:所述第二支撑层<10:1:2。7.根据权利要求2所述的半导体结构的形成方法,其特征在于,所述去除所述牺牲层包括:在剩余所述顶层支撑部...
【专利技术属性】
技术研发人员:吴承恩,
申请(专利权)人:长鑫存储技术有限公司,
类型:发明
国别省市:
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