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半导体结构的形成方法及半导体结构技术
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文档序号:32080965
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本发明实施例提供一种半导体结构的形成方法及半导体结构,半导体结构的形成方法包括:提供基底,基底中至少包括导电层;基底顶部表面具有底层支撑层以及位于底层支撑层顶部表面的堆叠结构,堆叠结构包括依次堆叠形成的牺牲层和支撑部;刻蚀部分堆叠结构以及底...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。
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