半导体器件的制造方法和半导体器件的制造设备技术

本发明专利技术是以提供一种能抑制芯片抗折强度降低，在组装工序和可靠性试验等中可防止半导体芯片破裂的半导体器件制造方法。在半导体晶片２１中形成半导体器件，沿划片线２４对该半导体晶片划。然后，是以向半导体晶片的划片区２６照射激光束２８，使由于划片而形成的切削条痕熔融或气化为特征。在用于分割半导体晶片的划片工序后，采用对半导体芯片２５－１、２５－２、２５－３、…的上边和侧面照射激光束的办法，熔融或气化切断面，消除由于切削条痕而引起的畸变和碎裂，因而会加强半导体芯片的抗折强度。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种半导体器件的制造方法和半导体器件的制造设备，特别是有关用于分割半导体晶片形成半导体芯片的划片工序和划片机。
技术介绍
现有半导体器件的制造工序中的划片工序，例如如图10(a)、(b)、(c)所示那样进行。即，如图10(a)和(b)所示，沿着划片线12-1、12-2、…的单向，使用金刚石刀(磨石)13，切削元件形成完毕的半导体晶片11。然后，通过将晶片11转动90°，如图10(c)所示，在与进行了划片的方向垂直的方向再进行划片，分开成各个半导体芯片14-1、14-2、14-3、…。对上述划片工序而言，通常有完全切断晶片11的全切割法，和进行划片直到晶片11的厚度约1/2或划片直到晶片11剩余约30μm深度的半切割法。就上述半切割方法来说，划片后一般认为需要分割作业，把晶片11夹在柔软性薄膜之类上。用辊子施加外力使其分开。划片前，粘附在粘着薄片上的情况下，隔着该薄片仍然用辊子等施加外力使其分开。分开后的晶片11，通过小片接合工序将每个芯片14-1、14-2、14-3、…安装到引线架上。这时，用拾取针使每个芯片14-1、14-2、14-3、…顶到粘着薄片的背面，穿透本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，其特征是具备：在半导体晶片中形成半导体元件的工序；沿划片线，对所述半导体晶片进行半切割划片形成沟的工序；向所述半导体晶片的划片区照射激光束，使由划片形成的切削条痕熔融或气化的工序；把粘着带粘附于所述半导体晶片上的所述半导体元件形成面的工序；以及研削所述半导体器件形成面的背面至少到达所述沟的深度的工序。

【技术特征摘要】
JP 2003-2-28 054688/20031.一种半导体器件的制造方法，其特征是具备在半导体晶片中形成半导体元件的工序；沿划片线，对所述半导体晶片进行半切割划片形成沟的工序；向所述半导体晶片的划片区照射激光束，使由划片形成的切削条痕熔融或气化的工序；把粘着带粘附于所述半导体晶片上的所述半导体元件形成面的工序；以及研削所述半导体器件形成面的背面至少到达所述沟的深度的工序。2.一种半导体器件的制造方法，其特征是具备在半导体晶片中形成半导体元件的工序；沿划片线，对所述半导体晶片进行半切割划片形成沟的工序；把粘着带粘附于所述半导体晶片上的所述半导体元件形成面的工序；研削所述半导体器件形成面的背面至少到达所述沟的深度的工序；对所述研削工序中分割所述半导体晶片而形成的所述半导体芯片的所述划片区照射激光束，使由划片形成的切削条痕熔融或气化的工序。3....

【专利技术属性】
技术研发人员：田久真也，佐藤二尚，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]