化学机械抛光浆液制造技术

本发明专利技术涉及一种化学机械抛光浆液，其包含抛光微粒、作为氧化剂的硝酸铵，作为铜金属膜抛光促进剂的１，２，４－三唑和水，并且其ｐＨ为３至４。该抛光浆液适宜于形成波纹状的包含钽基金属作为阻挡层金属膜材料的铜基金属互连。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种用于制备半导体器件的化学机械抛光浆液。具体而言，涉及一种化学机械抛光浆液，其适宜于形成波纹状的包含钽基金属作为阻挡层金属膜材料的铜基金属互连。
技术介绍
对于已经较大地精制和紧凑的半导体集成电路如ULSI，铜是一种有用的电连接材料，由此可以形成高性能和高可靠性的互连，原因在于其较低的电阻和良好的电迁移或耐应力迁移性。由于铜是不容易通过干式蚀刻处理的，所以通过所谓的波纹方法形成铜互连。例如，可以如下述形成电连接如互连。首先，在形成于硅基材上的绝缘膜上形成凹面如凹槽和连接孔。在包含凹面的表面上形成阻挡金属膜之后，通过电镀形成铜膜以便将凹面掩埋。然后，通过化学机械抛光(以下，称作“CMP”)将表面抛光，使其变平，直到完全暴露除凹面区域外的绝缘膜表面。作为结果，形成了电连接如波纹互连，通道插塞和接头，其中通过阻挡金属膜，用铜填充凹面。一般地，为了形成波纹型电连接，如上所述形成阻挡金属膜以防止铜金属分散进入绝缘膜中或改善铜金属与基材(绝缘膜)之间的粘附性。对铜基金属膜适宜的阻挡金属膜的实例包括钽基金属如Ta和TaN。考虑到铜基金属膜与钽金属和绝缘膜之间在抛光速率方面的差异本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种化学机械抛光浆液，其包含抛光微粒，作为氧化剂的硝酸铵，作为铜金属膜抛光促进剂的１，２，４－三唑和水，其中ｐＨ为３至４。

【技术特征摘要】
JP 2003-2-25 2003-0475521.一种化学机械抛光浆液，其包含抛光微粒，作为氧化剂的硝酸铵，作为铜金属膜抛光促进剂的1，2，4-三唑和水，其中pH为3至4。2.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆液，其中1，2，4-三唑的浓度为0.05至5重量％。3.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆液，其中硝酸铵的浓度为0.1至5重量％。4.根据权利要求1所述的化学机械抛光浆液，其中...

【专利技术属性】
技术研发人员：土屋泰章，泰地稔二，板仓哲之，樱井伸，青柳健一，伊藤友行，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，东京磁气印刷株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]