陶瓷膜的制造方法及用于该方法的加压型热处理装置制造方法及图纸

一种陶瓷膜的制造方法，包括：准备在基体上涂布了含有复合氧化物的原材料体的被处理体的工序；以及将被处理体保持在容器内，通过在加压到２个大气压或１个大气压以上并且至少含有氧化性气体的处理气体中，在规定的压力下进行热处理，使原材料体结晶化的工序，处理气体在被加热到预定温度后，供给上述容器。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种陶瓷膜的制造方法及用于该方法的加压型热处理装置。
技术介绍
目前，作为用于半导体装置(例如，强电介质存储器(FeRAM))的强电介质薄膜，提出了具有钙钛矿结构的强电介质膜(例如，PbZrTiO系)或具有层状钙钛矿结构的强电介质膜(例如，BiLaTiO系、BiTiO系、SrBiTaO系)。这些强电介质膜的原料中所含的Pb或Bi，蒸气压高，容易在低温下挥发。另外，在强电介质膜结晶化过程中，由于在高温下进行热处理，Pb或Bi等与强电介质膜的结晶化所需的保护性气氛中的氧结合，产生飞散。对结晶化的强电介质膜的特性有不希望的影响。因此，提出了通过在加压状态下进行热处理使含有Pb或Bi等易挥发元素的强电介质膜结晶化，抑制上述元素挥发的技术。可是，以往的加压型热处理装置，大部分不能进行急速加热。此外，能在加压状态下急速加热的加压型热处理装置，已知相对于要热处理的被处理体，具有1000倍以上的容积。这样大型的加压型热处理装置，加压需要较长的时间(例如，1小时左右)，而且，由于容器容积非常大，处理气体的绝热膨胀降低被处理体的表面温度，很难控制温度。因此，上述加压型热处理装置不适合强本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种陶瓷膜的制造方法，包括：　　　　准备在基体上涂布了含有复合氧化物的原材料体的被处理体的工序；　　　　将上述被处理体保持在容器内，通过在加压到２个大气压以上并且至少含有氧化性气体的处理气体中，在规定的压力下进行热处理，使上述原材料体结晶化的工序；　　　　上述处理气体在被预先加热到规定温度后，供给上述容器。

【技术特征摘要】
JP 2003-3-18 2003-0739291.一种陶瓷膜的制造方法，包括准备在基体上涂布了含有复合氧化物的原材料体的被处理体的工序；将上述被处理体保持在容器内，通过在加压到2个大气压以上并且至少含有氧化性气体的处理气体中，在规定的压力下进行热处理，使上述原材料体结晶化的工序；上述处理气体在被预先加热到规定温度后，供给上述容器。2.如权利要求1所述的陶瓷膜的制造方法，其中采用快速加热退火法进行上述热处理。3.如权利要求1所述的陶瓷膜的制造方法，其中上述容器的容积为上述基体的体积的100倍或100倍以下。4.如权利要求1～3中的任何一项所述的陶瓷膜的制造方法，其中以50℃/秒或50℃/秒以上的升温速度，将上述被处理体加热到上述规定温...

【专利技术属性】
技术研发人员：木岛健，名取荣治，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]