【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种局部硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)结构及其制造方法。
技术介绍
通常，用于存储数据的半导体存储器分为易失性存储器和非易失性存储器，易失性存储器易于在电源中断时丢失其数据，而非易失性存储器即使在电源中断时仍可保存其数据。与其它的非易失性存储技术(例如，磁盘驱动器)相比，非易失性半导体存储器相对较小。因此，非易失性存储器已广泛地应用于移动通信系统、存储卡等。近来，已经提出了具有硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)结构的非易失性存储器，即SONOS型非易失性存储器。SONOS型非易失性存储器具有很薄的单元，其便于制造且容易结合至例如集成电路的外围区域(peripheral region)和/或逻辑区域(logic region)中。根据现有技术的SONOS型非易失性半导体存储器将参照图1介绍。SONOS型非易失性半导体存储器10包括具有掺杂的源极和漏极区5的硅衬底6；隧道氧化物层1；隧道氧化物层1上的氮化物层2；氮化物层2上的顶氧化物层3；以及氧化物层3上的多晶硅(polysilicon)栅极层4。层1、2和3共同限定了氧化物...
【技术保护点】
一种局部硅－氧化物－氮化物－氧化物－硅结构，包括衬底；衬底上的氧化物－氮化物－氧化物结构；在氧化物－氮化物－氧化物结构上并与其对准的第一栅极层；在氧化物－氮化物－氧化物结构旁的衬底上的栅极绝缘体；以及 在第一栅极层上和栅极绝缘体上的第二栅极层，第一和第二栅极层电连接在一起，氧化物－氮化物－氧化物结构、第一栅极层和第二栅极层限定了至少１位局部硅－氧化物－氮化物－氧化物－硅结构。
【技术特征摘要】
US 2003-3-17 10/388,6311.一种局部硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构，包括衬底；衬底上的氧化物-氮化物-氧化物结构；在氧化物-氮化物-氧化物结构上并与其对准的第一栅极层；在氧化物-氮化物-氧化物结构旁的衬底上的栅极绝缘体；以及在第一栅极层上和栅极绝缘体上的第二栅极层，第一和第二栅极层电连接在一起，氧化物-氮化物-氧化物结构、第一栅极层和第二栅极层限定了至少1位局部硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构。2.如权利要求1所述的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构，其中栅极绝缘体还形成在第一栅极层与第二栅极层之间。3.如权利要求1所述的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构，其中第二栅极层形成来直接与第一栅极层接触。4.如权利要求1所述的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构，还包括形成来直接与第一栅极层的一部分和第二栅极层的一部分相接触的电连接层。5.如权利要求4所述的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构，其中第二栅极层的该部分为侧部，且电连接层为外延生长的硅。6.如权利要求4所述的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构，其中第二栅极层的该部分为侧部，且电连接层为自对准多晶硅化物。7.如权利要求1所述的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构，其中氧化物-氮化物-氧化物结构具有第一部分和离开第一部分横向设置的第二部分；以及第一栅极层具有第一部分和离开第一部分横向设置的第二部分；氧化物-氮化物-氧化物结构的第一部分自对准于第一栅极层的第一部分；氧化物-氮化物-氧化物结构的第二部分自对准于第一栅极层的第二部分；第二栅极层形成在第一栅极层的第一部分上和第一栅极层的第二部分上；以及第一栅极层的第一部分、第一栅极层的第二部分和第二栅极层电连接在一起；氧化物-氮化物-氧化物结构的第一和第二部分、第一栅极层的第一和第二部分、以及第二栅极层限定了2位局部硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构。8.如权利要求7所述的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构，还包括在该2位局部硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构上的介电层；以及第一、第二和第三接触插拴，其向下延伸穿过介电层，从而分别与第一栅极层的第一和第二部分、以及第二栅极层电接触；以及导电层，其与第一、第二和第三接触插拴电连接在一起，使得第一栅极层的第一部分、第一栅极层的第二部分和第二栅极层电连接在一起。9.如权利要求7所述的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构，其中第一栅极层的第一和第二部分以及第二栅极层延伸至位于与该2位局部硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构相应的区域外的外部区域中；以及第一和第二接触插拴和导电层位于该外部区域中。10.如权利要求7所述的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构，其中第一栅极层的第一和第二部分以及第二栅极层延伸至位于与该2位局部硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构相对应的区域外的外部区域中；以及硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构还包括导电层，位于该外部区域中，将第一栅极层的第一和第二部分以及第二栅极层电连接在一起。11.如权利要求1所述的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构，还包括介电层，在该至少1位局部硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构上；以及第一和第二接触插拴，向下延伸穿过介电层，从而分别与第一栅极层和第二栅极层电接触；以及导电层，将第一和第二接触插拴电连接在一起，使得第一栅极层和第二栅极层电连接在一起。12.如权利要求1所述的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构，其中第一栅极层和第二栅极层延伸至位于与该至少1位局部硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构相对应的区域外的外部区域中；以及第一和第二接触插拴和导电层位于该外部区域中。13.如权利要求1所述的硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构，其中第一栅极层和第二栅极层延伸至位于与该至少1位局部硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构相对应的区域外的外部区域中；以及硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构还包括导电层，位于该外部区域中，将第一栅极层与第二栅极层电连接在一起。14.一种形成局部硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅结构的方法，该方法包括设置衬底；在衬底上形成氧化物-氮化物-氧化物结构；形成第一栅极层，其在氧化物-氮化物-氧化物结构上并且与氧化物-氮化物...
【专利技术属性】
技术研发人员：裵金钟，李来寅，金相秀，金基喆，金辰熙，曹寅昱，金成浩，高光旭，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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