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本发明公开了一种局部硅－氧化物－氮化物－氧化物－硅（ＳＯＮＯＳ）结构及其制造方法。该局部ＳＯＮＯＳ结构具有两片栅极和自对准氧化物－氮化物－氧化物（ＯＮＯ）结构，包括：衬底；ＯＮＯ结构，在衬底上；第一栅极层，在ＯＮＯ结构上并与其对准；栅极绝缘...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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