【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种,特别借由二层呈梯度变化的缓冲层区(BxGa1-xP及InxGa1-xN)得以将黄光二极管及蓝光二极管可一次完成长晶动作。
技术介绍
发光二极管(Light Emitting Diode,LED)是一种固态的半导体组件,利用电流通过时二极管内产生的二个载子(分别为带负电的电子与带正电的电洞)的相互结合,将能量以光的形式释放。由于只要在发光二极管组件两端通入极小电流的便可发光,且属于冷光发光,不同于传统钨丝灯泡的热发光原理,具有亮度高、体积小、耗电量小、发热量少和寿命长等优点。传统发光二极管的发光特性皆以单一主波峰(signle peakwavelength)及狭窄半高宽(full width of half maximum,FWHM)为诉求,所以发光二极管所发射的光线皆是很纯的单一颜色光,例如砷化铝镓发光二极管发红色光、磷化镓发光二极管发绿色光。另外,透过使用不同的材料系统,或同一材料系统但不同组成比例,可制作出不同颜色不同亮度的发光二极管,例如调变磷砷化镓材料中的磷和砷的组成比,或磷化铝镓铟中的铝、镓和铟的组成比,皆可制作涵盖红、黄、绿 ...
【技术保护点】
一种白光发光二极管,其至少包括:一第一导电性电极;一基底,与上述第一导电性电极形成电接触;一第一发光部分第一型束缚层、一第一发光部分活性层及一第一发光部分第二型束缚层依序形成于上述基底上,且构成第一发光部分; 一第一缓冲层区形成于上述第一发光部分第二型束缚层之上,该第一缓冲层区是由一层或一层以上的缓冲层所构成;一第二发光部分第一型束缚层、一第二发光部分活性层及一第二发光部分第二型束缚层依序形成于上述第一缓冲层区上,且构成第二发光部分;以及 一第二导电性电极与上述第二发光部分第二型束缚层形成电接触,当 ...
【技术特征摘要】
1.一种白光发光二极管,其至少包括一第一导电性电极;一基底,与上述第一导电性电极形成电接触;一第一发光部分第一型束缚层、一第一发光部分活性层及一第一发光部分第二型束缚层依序形成于上述基底上,且构成第一发光部分;一第一缓冲层区形成于上述第一发光部分第二型束缚层之上,该第一缓冲层区是由一层或一层以上的缓冲层所构成;一第二发光部分第一型束缚层、一第二发光部分活性层及一第二发光部分第二型束缚层依序形成于上述第一缓冲层区上,且构成第二发光部分;以及一第二导电性电极与上述第二发光部分第二型束缚层形成电接触,当外加一电位差于第二导电性电极流及该第一导电性电极之间时,产生一电流,此电流通过第二发光部分、缓冲层区、及第一发光部分,使该第一发光部分活性层发出第一波长范围的光线、该第二发光部分活性层发出第二波长范围的光线,且借由该第一波长范围的光线及第二波长范围的光线混合获致白光。2.根据权利要求1所述的白光发光二极管,其中上述基底及上述第一发光部分第一型束缚层之间更存在一第二缓冲层。3.根据权利要求2所述的白光发光二极管,其中上述第一缓冲层及上述第二缓冲层的上下接面晶格常数分别匹配于上述第一发光部分第二型束缚层表面、上述第二发光部分第一型束缚层底部、上述基底表面及上述第一发光部分第一型束缚层底部的晶格常数。4.根据权利要求1所述的白光发光二极管,其中上述基底包括砷化镓(GaAs)、砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)或碳化硅(3C-sic);上述第一发光部分及第二发光部分包括磷...
【专利技术属性】
技术研发人员:赖穆人,刘家呈,章烱煜,
申请(专利权)人:威凯科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
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