高亮度发光二极管制造技术

一种高亮度发光二极管，包含一发光晶体及一基底；其中该发光晶体具有一第一发光面及一第二发光面；该基底连接于该发光晶体的第二发光面，并具有至少一高反射介电氧化片体；由该发光晶体的第二发光面发射出来的光，可借由该高反射介电氧化片体反射回该第一发光面，使该发光晶体的发光亮度提高２５％到１２５％。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管，特别是涉及一种高亮度发光二极管。
技术介绍
由于发光二极管(LED)具有体积小的优势，因此已被广泛使用于显示器背光模块、通讯、计算机、交通标志及玩具等消费市场。目前因为亮度不够的问题，尚未能广泛使用于照明市场。但是照明领域的使用对未来的消费市场而言，发展及成长的空间相当广大。为了解决有关二极管亮度不够的问题，科学家们从数个方面来提高组件的亮度，包括由取向附生处理技术(Epitaxial ProcessTechnology)、芯片处理技术(Chip Process Technology)及封装处理技术(Package Process Technology)等方面来着手。其中在取向附生处理技术方面主要尽量提升施主及受主的浓度，并设法减低发光层的位错密度。但这一项技术的突破并不是很容易。特别是在蓝光氮化镓(GaN)系统有其难度，提高发光层中的受主浓度并不容易。而有关封装技术方面则利用组装技术在芯片上置放反射镜，但此种方法则会增加组装的困难度。如图1所示，为第一种现有的发光二极管1，也是现有的发光二极管的最基本结构。该发光二极管1包含一基底11及一发光晶体12本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高亮度发光二极管，包含一发光晶体及一基底，其特征在于：该发光晶体，可发射出一预定波长范围的光，并具有一第一发光面及一第二发光面；及该基底，连接于该发光晶体的第二发光面并具有至少一高反射介电氧化片体，由该发光晶体的第二发光 面发射出来的光，可通过该高反射介电氧化片体反射回该第一发光面，以提高该发光二极管的亮度。

【技术特征摘要】
1.一种高亮度发光二极管，包含一发光晶体及一基底，其特征在于该发光晶体，可发射出一预定波长范围的光，并具有一第一发光面及一第二发光面；及该基底，连接于该发光晶体的第二发光面并具有至少一高反射介电氧化片体，由该发光晶体的第二发光面发射出来的光，可通过该高反射介电氧化片体反射回该第一发光面，以提高该发光二极管的亮度。2.如权利要求1所述高亮度发光二极管，其特征在于该高反射介电氧化片体是形成于该基底的一底面。3.如权利要求2所述高亮度发光二极管，其特征在于该高反射介电氧化片体是具有至少两氧化层，每一氧化层具有不同的折射率，且这些氧化层是分别以折射率由小到大，自该基底的底面向相反于该发光晶体方向分别依序向下形成。4.如权利要求3所述高亮度发光二极管，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：林居男，钟信吉，陈裕丰，
申请(专利权)人：联旭科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]