一种氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物发光二极管的制造方法技术

一种氮化镓系Ⅲ－Ⅴ族化合物发光二极管的制造方法，其特征在于：　　　　Ｎ型欧姆接触电极、金属阻挡层及Ｎ型焊盘一步形成。　　　　Ｎ型欧姆接触电极材料包含钛、铝中的至少一种金属。　　　　Ｎ型欧姆接触电极是由钛、镍、铝构成的金属材料形成的。　　　　金属阻挡层材料包含钛、镍、铂中的至少一种金属。　　　　Ｎ型焊盘是用金形成的。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种氮化镓(GaN)系III-V族化合物发光二极管的制造方法二、
技术介绍
化合物半导体元件在通讯及显示器方面有广泛的用途，近年来由于对蓝光光源的需求，氮化镓系III-V族化合物半导体(GaN based III-Vcompound semiconductor device)更是成为研发重点。目前发光二极管一般采用氮化镓(GaN)、氮化铟镓(AlGaN)、氮化铝镓(AlInGaN)等氮化镓系III-V族化合物半导体材料。这类发光器件通常具有在基片上的N型氮化镓系化合物半导体层和最上层的P型氮化镓系化合物半导体层的叠层结构。在发光二极管器件制造的工艺中，一般是先在P型氮化镓层上制作P型电极并对其进行热处理，使之与P型氮化镓层形成欧姆接触；然后在N型氮化镓层上制作N型电极并对其进行热处理，使之与N型氮化镓层形成欧姆接触；最后在P、N电极上制作用于与焊丝焊接的焊盘。中国专利ZL.94106935.4公开的产品及其制作方法即是这种制作工艺的典型。这样做需要进行多次光刻、蒸发和合金，不仅工艺水平复杂，成本高，而且由于工艺过程中多次光刻与热处理，易降低器件的成品率，并使得焊盘质量本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种氮化镓系III-V族化合物发光二极管的制造方法，其特征在于N型欧姆接触电极、金属阻挡层及N型焊盘一步形成。N型欧姆接触电极材料包含钛、铝中的至少一种金属。N型欧姆接触电极是由钛、镍、铝构成的金属材...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄尊祥，黄光辉，何晓光，
申请(专利权)人：厦门三安电子有限公司，
类型：发明
国别省市：