【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种发光芯片，可应用于作为发光二极管的光源，尤其涉及一种以绝缘性及散热性良好的材质作为发光层的散热基板，使整个发光芯片本身即具有高度的散热特性。
技术介绍
早在70年代就已经有发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)的专利技术，其对人类的生活形态产生了极大的影响。几十年来，人们仍不断地努力，希望能专利技术出更具实用性的高效光源，然而由于在许多关键技术上存在瓶颈，一直无法突破，故将该技术应用在日常照明上确实存在许多问题，例如，亮度的提高、产品的寿命问题。近几年来，由于人们在这些
上取得了许多重大突破，使得LED的应用面更为广泛。LED与传统光源相比较具有许多优势，包括体积小、发光效率佳、寿命长、操作反应速度极快、可靠度高、不易破损、可制成体积极小、可绕式或可数组式的组件，且无热辐射与水银等有毒物质的污染。目前LED的制造技术已具有一定的成熟度，亮度也已提高到一定的程度，已应用的范围包括汽车仪表板、液晶显示板背光源、室内照明、扫描仪与传真机光源...等领域。未来的开发目标在于制作出耗电量低，可大量节省能源的高效率与高亮度的...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光芯片，包括一散热基板，具绝缘及散热特性；一P极电极，形成于散热基板上，该P极电极的一端为接着部，另一端为金属导线接着部；一N极电极，形成于散热基板上，该N极电极的一端为接着部，另一端为金属导线接着部；一发光层，其下平面与该P极电极以及该N极的接着部相结合，又，该P极电极及该N极电极的金属导线接着部的底面并与该基板相结合，且结合后，该散热基板、该P极电极及该N极电极的该金属导线接着部外露于该发光层底部。2.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，该P极电极及该N极电极可与电流导通，且该发光层的主发光面为该发光层的上平面。3.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，该发光层为GaN(氮化镓)、GaAs、GaP、磷砷化镓(GaAsP)、砷化铝镓(AlGaAs)或磷化铝镓铟(AlGaInP)其中一种或二种以上混制而成。4.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，该发光层表面涂布有一萤光体层。5.根据权利要求4所述的发光芯片，其特征在于，该萤光体层为铝石榴石型萤光粉(YAG)。6.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，该发光层表面涂布有一混光层，该混光层由散射体微粒，萤光体微粒及扩散体微粒，混合而成。7.根据权利要求1所述的发光芯片，其特征在于，该散热基板为陶瓷、氧化铝、氧化铝化合物、氮化铝或氮化铝化合物。8.一种发光二极管，其特征在于，包括一发光芯片，该发光芯片由一散热基板、一组P-N极电极及一发光层结合而成，结合后该散热基板位于最底层，该P-N极电极则介于该散热基板及该发光层的下平面之间，又，该P极电极及该N极电极的一端为金属导线接着部，且，该金属导线接着部与该散热基板结合后，外露于该发光层底部；一组支架，该支架具有一凹槽，可使该发光芯片以该散热基板的底部固定于该凹槽中，该支架底部为一插脚；一P极导线，连结于该发光芯片的P极电极的该金属导线接着部与该支架的P极；一N极导线，连结于该发光芯片的N极电极的该金属导线接着部与该支架的N极；以及一环氧树脂将上述各构件封装包覆，封装完成后，该支架的该插脚外露以方便连接电流导通。9.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，该P极电极及该N极电极与电流导通后，该发光芯片的主发光面为该发光层的上平面。10.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，该发光层为GaN(氮化镓)、GaAs、GaP、磷砷化镓(GaAsP)、砷化铝镓(AlGaAs)、磷化铝镓铟(AlGaInP)其中一种或二种以上混制而成。11.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，该发光芯片的该发光层表面覆盖有一萤光体层，且将整个该发光芯片完整覆盖。12.根据权利要求11所述的发光二极管，其特征在于，该萤光体层为铝石榴石型萤光粉(YAG)。13.根据权利要求8所述的发光二极管，其特征在于，该发光芯片的该发光层表面覆盖有一混光层，且该混光层将整个该...
【专利技术属性】
技术研发人员：何文志，
申请(专利权)人：九昱光电科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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