制造自排序纳米管道阵列及纳米点的方法技术

本发明专利技术公开制造自排序纳米管道阵列及纳米点的方法。该纳米管道阵列制造方法包括：进行第一阳极氧化，以在铝衬底上形成具有管道阵列的第一铝层，管道阵列由多个孔穴形成；蚀刻第一铝层到预定深度并在铝衬底上形成多个凹入部分，其中每个凹入部分对应于第一铝层的每个管道的底部；以及进行第二阳极氧化，以在铝衬底上形成具有对应于多个凹入部分的多个管道的阵列的第二铝层。该阵列制造方法能够获得精细排序的孔穴，并能使用孔穴形成纳米尺度的点。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造垂直纳米管道(nanochannel)的阵列的方法和使用该阵列制造纳米点(nanodot)的方法，更具体地涉及一种通过两步阳极氧化形成自排序纳米管道阵列(self-ordered nanochannel-array)的方法和使用该纳米管道阵列制造纳米点的方法。
技术介绍
近年来，积极地进行了研究，以在存储器、激光二极管(LD)、光电二极管(PD)、晶体管、远红外探测器、太阳能电池、光学调制器等中形成纳米尺度的图案或结构。例如，结合电子控制的纳米点对应于其尺寸改变了束缚电子的数目。由于同传统电子器件相比，可用较小数量的电子来驱动使用纳米点的电子器件，所以降低了阈值电流电平从而允许低压驱动。使用纳米点的器件还具有用低电压提供高输出的优势。传统纳米点制作方法利用包括低压化学气相沉积(LPCVD)的常规沉积工序来形成Si/Si3N4核或喷洒纳米颗粒到衬底上。然而，传统方法很难控制纳米颗粒的尺寸。此外，喷洒相等尺寸的纳米颗粒不能保证均匀的纳米点分布。另一种传统方法是使用电子束光刻或激光束光刻。这种方法不仅因工艺的局限很难获得所需尺寸的纳米点，而且在减小其尺寸方面受到限本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造自排序纳米管道阵列的方法，包括：进行第一阳极氧化，从而在铝衬底上形成具有管道阵列的第一铝层，该管道阵列由多个孔穴形成；蚀刻该第一铝层到预定深度并在该铝衬底上形成多个凹入部分，其中每个凹入部分对应于该第一铝层的每个管道 的底部；以及进行第二阳极氧化，从而在该铝衬底上形成具有对应于该多个凹入部分的多个管道的阵列的第二铝层。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：柳寅儆，郑守桓，徐顺爱，金仁淑，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]