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本发明公开制造自排序纳米管道阵列及纳米点的方法。该纳米管道阵列制造方法包括：进行第一阳极氧化，以在铝衬底上形成具有管道阵列的第一铝层，管道阵列由多个孔穴形成；蚀刻第一铝层到预定深度并在铝衬底上形成多个凹入部分，其中每个凹入部分对应于第一铝层...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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