【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种在形成于半导体晶片上的每个ICs的电极上形成凸点的形成方法，以及一种实现此种凸点形成方法的凸点形成设备。
技术介绍
在传统方法中，要在ICs(集成电路)的电极上形成凸点，凸点必须形成在每个IC芯片上，即从半导体晶片上一片接一片地切割出各个芯片上。传统的凸点形成方法的生产效率低下，因为它需要一定的传送时间来把每片芯片传递到一个凸点粘结设备上，以便形成凸点。为了缩短传递时间，一种用于把半导体晶片传递到凸点粘结设备以便在半导体晶片的ICs上形成凸点的装置，已经逐渐得到了应用。当要在半导体晶片上的ICs上形成凸点时，必须要确定ICs的位置，以便在ICs的电极上形成凸点。当形成凸点时，半导体晶片本身要被加热到大约150-200℃，且热量也会影响到凸点粘结设备，例如设备产生热膨胀或类似效应。因此，在每个IC上都具有一个位置识别标志，在凸点形成于每个IC上之前，已经通过一架识别摄像机对此标志进行了传统的拍照，据此就可以修正半导体晶片的位置。半导体晶片具有，例如接近3000-10000个ICs。ICs的数量越大，为形成凸点而识别位置所需要的时间就越多。例如，...
【技术保护点】
一种用于在半导体晶片（２０１）上形成凸点的方法，包括步骤： 定义想象中的基本方块（２３０），每个基本方块都具有多个按行或列方向或者按照行和列方向彼此相邻的ＩＣｓ（２２３），所述ＩＣｓ（２２３）置于准备进行凸点粘结的半导体晶片上按照网格图案排列的ＩＣｓ当中；和 执行位置识别用于根据每个基本方块以形成凸点。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2000-11-21 354448/001.一种用于在半导体晶片(201)上形成凸点的方法，包括步骤定义想象中的基本方块(230)，每个基本方块都具有多个按行或列方向或者按照行和列方向彼此相邻的ICs(223)，所述ICs(223)置于准备进行凸点粘结的半导体晶片上按照网格图案排列的ICs当中；和执行位置识别用于根据每个基本方块以形成凸点。2.根据权利要求1所述的凸点形成方法，还包括步骤在进行位置识别之后，对于上述定义的每个基本方块，在位置识别的基础上于每个基本方块所包含的ICs上连续地形成凸点；和当凸点形成操作在基本方块之间从一个基本方块移动到另一个基本方块时，对其它的基本方块进行位置识别，以在其它基本方块所包含的ICs中形成凸点。3.根据权利要求1所述的凸点形成方法，其特征在于定义基本方块的ICs的数量是这样一个数值，它使得当凸点连续地形成于电极上时，基本方块中所有ICs的所有电极(225)与电极上形成的所有凸点(226)之间的位置偏离保持在容许的范围之内。4.根据权利要求3所述的凸点形成方法，其特征在于定义基本方块ICs的数量还根据至少形成凸点的半导体晶片上的位置，或者从在半导体晶片上形成凸点开始后所经过的一段时间予以确定。5.根据权利要求1所述的凸点形成方法，其特征在于在定义了多个基本方块之后，当剩余ICs的数量不能满足定义基本方块所需的ICs的数量时，通过对每个剩余ICs，或对多个剩余ICs与一个剩余ICs的组合来对于剩余ICs执行凸点形成和位置识别，直至在所有的剩余ICs上形成凸点。6.根据权利要求1所述的凸点形成方法，其特征在于通过对位于基本方块的对角位置的两个位置识别标志(224-1，224-2)的识别来实现对基本方块的位置识别，其中所述两个位置识别标志位于加在基本方块两端的每个ICs上的位置识别标志中。7.根据权利要求6所述的凸点形成方法，其特征在于在对基本方块进行位置识别程序之前，检测ICs在半导体晶片上排列的倾斜角，以便在位置识别时段，通过对基本方块只识别两个位置识别标志中的一个，可以取消对基本方块中所包含的ICs的倾斜角的检测。8.根据权利要求1所述的凸点形成方法，其特征在于当凸点连续地形成到ICs上时，检测显示基本方块所包含的ICs中的有缺陷IC的不合格IC信息。9.根据权利要求8所述的凸点形成方法，其特征在于根据不合格IC信息，凸点不形成到有缺陷的ICs上。10.一种用于在半导体晶片(201)上形成凸点(226)的设备，其包括凸点粘结设备(190)，其用于对在准备进行凸点粘结的半导体晶片上呈网格图案排列的ICs(223)上形成凸点；识别部件(150)，其包括可以沿着列和行的方向在半...
【专利技术属性】
技术研发人员：成田正力，池谷雅彦，坪井保孝，前贵晴，金山真司，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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