半导体功率器件和形成方法技术

按照一种实施方式，应力缓冲层（４０）被形成在功率金属结构（９０）与钝化层（３０）之间。应力缓冲层（４０）通过功率金属结构（９０）减小施加于钝化层（３０）上的应力的作用。按照另一实施方式，功率金属结构（１３０Ａ）被分为多段（１０９１），从而通过籽层（１０５２）和粘附／阻挡层（１０５０）的剩余部分在各段（１０９０）之间保持电连续性。独立的多段（１０９０）施加比相当尺寸的连续功率金属结构（９）更低的峰值应力。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及半导体制造，并更具体地说涉及一种MOS功率器件及其制造方法。
技术介绍
一种制作高功率金属氧化物半导体(MOS)器件的技术采用被形成在半导体器件上的厚金属化(功率金属)以提供电流至半导体器件电路。功率金属可有效降低接通电阻(Ron)、消除不一致开关、增加热容量、形成螺旋电感、和改进载流能力与半导体器件的电迁移可靠性。图1表示包括功率金属结构9A和9B的一种现有技术功率金属结构。功率结构9A和9B包括厚铜膜9、籽层8、和被形成在钝化层6上的粘附/阻挡层7。功率金属结构9A和9B通过焊盘开口10、11和12经互连(interconnect)3、4和5电连接至半导体器件。如参照没有焊盘开口的互连2所示，不是所有互连电接触功率金属结构。因此，覆盖互连2的部分钝化层6也起到将互连2从功率金属结构9A电隔离的作用。但是，钝化层6与功率金属结构9A之间的残余膜应力和热膨胀系数(CTE)差异可导致功率金属结构9A与钝化层6之间的剪切应力。超过钝化层6的断裂强度的剪切应力可在钝化层6中产生裂纹或缺陷X，这可以导致互连2与功率金属结构9A之间的电短路。在极端条件下，剪切应力也可以产本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种形成半导体器件的方法，该方法包括：在半导体器件衬底（２０）上形成第一互连（２４）和第二互连（２５）；在第一和第二互连（２４和２５）上形成钝化层（３０）；形成通过钝化层的开口（３２），其中第一开口（３２）暴露一部分 第一互连（２４），而第二开口（３２）暴露一部分第二互连（２５）；在部分钝化层（３０）上形成应力缓冲特征（４０）；和在部分应力缓冲特征（４０）上形成导电结构（７０），其中导电结构（７０）通过第一开口（３２）被电连接至第一互连（ ２４）并通过第二开口（３２）被连接至第二互连（２５）。

【技术特征摘要】
US 2001-11-30 09/998,5071.一种形成半导体器件的方法，该方法包括在半导体器件衬底(20)上形成第一互连(24)和第二互连(25)；在第一和第二互连(24和25)上形成钝化层(30)；形成通过钝化层的开口(32)，其中第一开口(32)暴露一部分第一互连(24)，而第二开口(32)暴露一部分第二互连(25)；在部分钝化层(30)上形成应力缓冲特征(40)；和在部分应力缓冲特征(40)上形成导电结构(70)，其中导电结构(70)通过第一开口(32)被电连接至第一互连(24)并通过第二开口(32)被连接至第二互连(25)。2.如权利要求1的方法，其中应力缓冲特征(40)包含聚酰亚胺。3.如权利要求1的方法，其中导电结构(70)的边缘区域覆盖并接触应力缓冲特征(40)。4.如权利要求1的方法，其中导电结构(70)的进一步特征是功率金属结构。5.如权利要求4的方法，其中功率金属结构包括选自由铜、镍和金构成的组中的一种材料。6.一种形成半导体器件的方法，该方法包括形成覆盖半导体器件衬底的第一互连(103)和第二互连(104)；在第一互连(103)和第二互连(104)上形成钝化层(1030)；图...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷L莫尔卡多，维杰萨瑞翰，郑勇先生，詹姆斯J王，爱德华普莱克，
申请(专利权)人：自由度半导体公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]