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按照一种实施方式，应力缓冲层（４０）被形成在功率金属结构（９０）与钝化层（３０）之间。应力缓冲层（４０）通过功率金属结构（９０）减小施加于钝化层（３０）上的应力的作用。按照另一实施方式，功率金属结构（１３０Ａ）被分为多段（１０９１），从而通...
该专利属于自由度半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过自由度半导体公司授权不得商用。

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