【技术实现步骤摘要】
本案是申请号为95118605.1的中国专利申请的分案申请。本专利技术涉及用在薄膜集成电路中的一种电路元件的结构，例如一个薄膜晶体管(TFT)，以及相应的制造方法。利用本专利技术制成的薄膜晶体管可以形成在玻璃或其类似物制成的绝缘衬底上，也可以形成在单晶硅或其类似物制成的半导体衬底上的一个绝缘体上，并且被用做液晶显示器的有源矩阵电路，图象传感器的驱动电路等等。近年来，需要在750℃或更低的温度下产生薄膜晶体管。薄膜晶体管的制造过程是这样的，即在对一个形成在用氧化硅、氮化硅或类似物制成的绝缘膜上的硅半导体薄膜利用蚀刻形成一个岛状的硅区域(有源层)之后，在其上形成一个栅绝缘膜和一个栅电极。然而，在惯用的半导体集成电路技术中，在这种低温下不可能用热氧化方法获得栅绝缘膜。因此，到目前为止，这种绝缘膜主要是用化学汽相淀积法(CVD法)或物理汽相淀积法(PVD法)形成的。然而，用CVD法或PVD法形成的绝缘膜的台阶覆盖厚度较小，这会有损于绝缘膜的可靠性产量以及特性。换句话说，在边沿部的截面基本上垂直的情况下，栅绝缘膜的覆盖厚度会明显地降低到这样的程度，在典型的情况下，其边沿部的厚...
【技术保护点】
一种制造薄膜半导体器件的方法，包括：通过对硅具有蚀刻作用的非等离子处理形成具有锥形边缘的岛状硅半导体区域。
【技术特征摘要】
JP 1994-9-16 248616/94;JP 1994-9-16 248617/94;JP 11.一种制造薄膜半导体器件的方法，包括通过对硅具有蚀刻作用的非等离子处理形成具有锥形边缘的岛状硅半导体区域。2.如权利要求1所述的方法，其中把采用含联氨的溶液的湿法蚀刻用作非等离子处理。3.如权利要求1的方法，其中把采用含氢氟酸的溶液的湿法蚀刻作为非等离子处理。4.如权利要求1的方法，其中把采用含乙二胺的溶液的湿法蚀刻作为非等离子处理。5.如权利要求1的方法，其中把采用呈非离子状态的氟和氯的化合物气体的气体蚀刻作为非等离子处理。6.一种制造薄膜半导体器件的方法，包括下列步骤(a)在形成在绝缘涂层上的厚度为100至1000的硅膜上形成掩膜；以及(b)使用所述掩膜，用呈非离子状态的对硅具有蚀刻作用的液体或气体蚀刻所述硅膜，从而形成具有锥形边缘的岛状薄膜硅半导体区域。7.如权利要求6的方法，其中在所述步骤(a)中的所述掩膜主要含有氧化硅或氮化硅。8.如权利要求6的方法，其中在所述步骤(b)中的具有蚀刻硅膜作用的液体是含有联氨的溶液。9.如权利要求6的方法，其中在所述步骤(b)中的具有蚀刻硅膜作用的液体是氢氟酸和硝酸的混合溶液。10.如权利要求6的方法，其中在所述步骤(a)中的在其上形成有硅膜的绝缘涂层主要含有氧化硅或氮化硅。11.如权利要求6的方法，其中在所述步骤(b)中的呈非离子状态的具有蚀刻硅膜作用的气体是氟和氯的化合物。12.一种制造薄膜半导体器件的方法，包括下列步骤(a)通过干法蚀刻技术蚀刻在一个绝缘涂层上形成的硅膜，从而形成具有锥形边缘的岛状薄膜硅半导体区域。在其上形成有掩膜；(b)用呈非离子状态的并具有蚀刻硅膜作用的液体或气体处理所述薄膜半导体区域的边缘部分；以及(c)形成一横截所述薄膜半导体区域的栅极。13.如权利要求12的方法，其中在所述步骤(a)中的所述掩膜主要含有氧化硅或氮硅。14.如权利要求12的方法，其中在所述步骤(b)中的具有蚀刻硅膜作用的液体是含有联氮的溶液。15.如权利要求12的方法，其中在所述步骤(b)中的具有蚀刻硅膜作用的液体是氢氟酸和氮酸的混合溶液。16.如权利要求12的方法，其中在所述步骤(a)中的在其上形成有硅膜的绝缘涂层主要含有氧化硅或氮化硅。17.如权利要求12的方法，其中在所述步骤(b)中的呈非离子状态的并具有蚀刻硅膜作用的气体是氟和氯的化合物。18.如权利要求12的方法，其中在所述步骤(a)中的获得的硅膜含有1×1017原子/cm3或更多的促进非晶硅晶体化的触媒元素。19.如权利要求12的方法，在所述步骤(a)和步骤(b)之间还包括在400至550℃下热退火步骤。20.一种制造薄膜半导体器件的方法包括下列步骤(a)在形成在一个绝缘涂层上的厚度为100至1000的硅膜上形成掩膜；以及(b)用含有NH2类的液体使用所述掩膜蚀刻硅膜，形成具有锥形边缘的岛状薄膜硅半导体区域。21.如权利要求20的方法，其中在所述步骤(a)中的所述掩膜基本上是光刻胶。22.如权利要求20的方法，其中在所述步骤(b)中的具有NH2类的液体是含有联...
【专利技术属性】
技术研发人员：须泽英臣，竹村保彦，山崎舜平，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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