【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及阵列基板以及制造阵列基板的方法，更具体地，本专利技术涉及薄膜晶体管阵列基板以及制造薄膜晶体管阵列基板的方法。
技术介绍
通常，液晶显示(LCD)设备利用感应电场控制液晶材料的透光率来显示图像。LCD设备包含形成在上基板上的公共电极和形成在下基板上的像素电极，其中通过公共电极和像素电极之间形成的感应电场来控制液晶材料的透光率。LCD设备包括面对面地连接在一起的薄膜晶体管(TFT)阵列基板(下基板)和滤色器阵列基板(上基板)。另外，在上下基板之间设置了隔垫以在它们之间提供均匀的单元间隙，液晶材料注入在由隔垫提供的单元间隙中。TFT阵列基板包括多个信号线、多个薄膜晶体管、以及用于提供液晶配向的配向膜。滤色器阵列基板包括用于产生彩色光的滤色器、用于防止光泄漏的黑底(black matrix)、以及用于提供液晶配向的配向膜。因为TFT阵列基板的制造涉及包含多次掩模处理的半导体制造工艺，所以制造工艺很复杂而且成本很高。为了解决这个问题，开发了需要更少掩模处理的TFT阵列基板。相应地，因为一次掩模处理包含各个子处理，如薄膜淀积、清洗、光刻、刻蚀、光刻胶剥离、以...
【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板，包括：基板上的选通线；基板上的数据线，其与选通线交叉而限定了像素区；在选通线和数据线的交叉点处形成的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括基板上形成的栅极、在栅极和基板上形成的栅绝缘层、在栅绝缘层上形 成的半导体层、半导体层上的欧姆接触层、以及欧姆接触层上的源极和漏极；以及处于像素区内并与薄膜晶体管的漏极相连的透明电极材料，其中，所述栅绝缘层包括位于所述数据线和透明电极材料之下并覆盖所述选通线的栅绝缘图案。
【技术特征摘要】
KR 2003-5-6 28642/20031.一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板上的选通线；基板上的数据线，其与选通线交叉而限定了像素区；在选通线和数据线的交叉点处形成的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括基板上形成的栅极、在栅极和基板上形成的栅绝缘层、在栅绝缘层上形成的半导体层、半导体层上的欧姆接触层、以及欧姆接触层上的源极和漏极；以及处于像素区内并与薄膜晶体管的漏极相连的透明电极材料，其中，所述栅绝缘层包括位于所述数据线和透明电极材料之下并覆盖所述选通线的栅绝缘图案。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，还包括具有与所述数据线相连的下数据焊盘电极的数据焊盘；以及与所述选通线相连的选通焊盘。3.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述数据焊盘还包括与所述下数据焊盘电极相连的上数据焊盘电极。4.如权利要求3所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述上数据焊盘电极包括所述透明电极材料。5.如权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述上数据焊盘电极直接与所述下数据焊盘电极接触。6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述数据焊盘还包括所述有源层的第一部分和所述欧姆接触层的第一部分。7.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述上数据焊盘电极的第一部分接触所述有源层的所述第一部分的侧部以及所述欧姆接触层的所述第一部分的侧部。8.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述数据焊盘还包括所述半导体层的第一部分和所述欧姆接触层的第一部分。9.如权利要求8所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，各个所述栅绝缘图案、所述半导体层的所述第一部分和所述欧姆接触层的所述第一部分的侧壁部分是重合的。10.如权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述栅绝缘图案从所述栅极延伸出来覆盖所述选通线。11.如权利要求10所述的薄膜晶体管阵列基板，其中，所述透明电极材料在所述栅绝缘图案上从所述薄膜晶体管的漏极延伸出来覆盖所述选通线。12.如权利要求11所述的薄膜晶体管阵列基板，还包括存储电容，所述存储电容包括所述选通线、与所述选通线重合的所述栅绝缘层、以及与所述选通线重合的所述透明电极材料。13.一种制造薄膜晶体管阵列基板的方法，包括在基板上形成包括选通线、选通焊盘和薄膜晶体管的栅极的第一导电图案组，所述薄膜晶体管与所述选通线相连；在具有所述第一导电图案组的所述基板上形成栅绝缘膜；形成第二导电图案组、欧姆接触层和用于形成所述薄膜晶体管的沟道区的半导体层，所述第二导电图案组包括与所述选通线交叉的数据线、所述薄膜晶体管的与...
【专利技术属性】
技术研发人员：李垌默，南承熙，吴载映，
申请(专利权)人：LG飞利浦LCD有限公司，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]
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