可增加发光作用区面积的发光元件制造技术

一种发光元件，尤指一种可增加发光作用区面积以提高发光亮度的发光元件，主要是在一晶粒基板上依序设有一第二磊晶层及至少一第一磊晶层，第一磊晶层上表面设有至少一第一电极，及，复数个可贯穿第一磊晶层并由一电极绝缘层而与第一磊晶层绝缘并电性连接于第二磊晶层的第二电极，其中，第一电极及第二电极相互间格交错排列，另外，在一供电基板上根据第一电极与第二电极位置而设有相对应可个别与第一电极或第二电极贴合电性连接的第一供电电路及第二供电电路，而复数个第一供电电路可电性连接有一第一连通电路，第二供电电路则电性连接有一第二连通电路，由于第一连通电路及第二连通电路是设于供电基板上而非直接设于发光二极管上。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种发光元件，尤指一种可增加发光作用区面积以提高发光亮度的发光元件，主要是将一第一连通电路及一第二连通电路设于一供电基板上，而不直接占据发光二极管的发光作用区。
技术介绍
发光二极管因为具有体积小、重量轻、低耗电、寿命长等优点，因此广泛使用于电脑周边、通信产品以及其他电子装置中。一般量产的发光二极管，是于一基板上，例如蓝宝石(sapphire)、碳化硅(SiC)等材料，成长出一具有pn接面的磊晶层，当p型磊晶层及n型磊晶层两侧导入一驱动电压时，可使pn接面因电子—电洞复合而投射出光源。现有的发光二极管结构，如图1A及图1B所示，是分别为一现有发光二极管元件的构造侧视图及其构造俯视图。如图所示，其主要是于一晶粒基板11上方成长有一第二磊晶层15，而第二磊晶层15可定义有一相对凸起的第一表面153及相对凹陷的第二表面155，其中，第一表面153上形成有一第一磊晶层13，以使第一磊晶层13与第二磊晶层15之间可自然形成有一具有产生投射光源功效的发光作用区(即第一表面153)。第一磊晶层13的部分上表面设有一第一电极17，而第二磊晶层15未设有第一磊晶层13的第二表面1本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可增加发光作用区面积的发光元件，其特征在于，其主要构造是包括有：至少一发光晶粒，每一发光晶粒包括有一晶粒基板，晶粒基板设有一第二磊晶层，第二磊晶层可定义有至少一第一表面及至少一第二表面，第一表面上再形成有一第一磊晶层，第一磊晶层 与第二磊晶层之间可自然形成有一发光作用区，第一磊晶层的部分表面设有至少一第一电极，而第二磊晶层的部分表面设有至少一第二电极；及一供电基板，在其表面可相对于第一电极及该第二电极的位置，分别设有至少一第一供电电路及至少一第二供电电路，而 每一第一供电电路可由一第一连通电路而电性连接，每一第二供电电路可由一第二连通电路连接，第一供电电路与相对...

【技术特征摘要】
1.一种可增加发光作用区面积的发光元件，其特征在于，其主要构造是包括有至少一发光晶粒，每一发光晶粒包括有一晶粒基板，晶粒基板设有一第二磊晶层，第二磊晶层可定义有至少一第一表面及至少一第二表面，第一表面上再形成有一第一磊晶层，第一磊晶层与第二磊晶层之间可自然形成有一发光作用区，第一磊晶层的部分表面设有至少一第一电极，而第二磊晶层的部分表面设有至少一第二电极；及一供电基板，在其表面可相对于第一电极及该第二电极的位置，分别设有至少一第一供电电路及至少一第二供电电路，而每一第一供电电路可由一第一连通电路而电性连接，每一第二供电电路可由一第二连通电路连接，第一供电电路与相对应的第一电极相互电性连接，而第二供电电路与相对应的第二电极相互电性连接。2.如权利要求1所述的可增加发光作用区面积的发光元件，其特征在于，其中该供电基板是为一表面绝缘基板。3.如权利要求2所述的可增加发光作用区面积的发光元件，其特征在于，其中该供电基板是可选择为一氮化硅、氮化铝、炭化硅、氮化镓及其组合式的其中之一所制成。4.如权利要求1所述的可增加发光作用区面积的发光元件，其特征在于，其中该发光二极管晶粒是采用覆晶封装方式，致使该发光二极管晶粒翻转贴合于该供电基板。5.如权利要求1所述的可增加发光作用区面积的发光元件，其特征在于，其中还包括有一静电放电保护元件，固设于该供...

【专利技术属性】
技术研发人员：林明德，林三宝，许荣贵，
申请(专利权)人：光磊科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]