氮化物发光装置的制造方法制造方法及图纸

一种氮化物发光装置的制造方法，其特征在于包含下列步骤：　　　　设置氮化物发光结构与第二基板，该氮化物发光结构包含：第一基板，其材质是氧化铝；Ｎ型氮化物磊晶层形成于该第一基板上；及Ｐ型氮化物磊晶层形成于该Ｎ型氮化物磊晶层上；　　　　形成第一结合层于该氮化物发光结构的Ｐ型氮化物磊晶层上；　　　　形成第二结合层于该第二基板上，该第二基板的材质是半导体、金属或合金材料其中的任一种；　　　　结合该第一结合层与该第二结合层；　　　　去除该氮化物发光结构的第一基板，以使该氮化物发光结构的Ｎ型氮化物磊晶层曝露；　　　　形成透明导电层于该Ｎ型氮化物磊晶层；　　　　形成Ｎ型电极于该透明导电层上；及　　　　形成Ｐ型电极于该第二基板上。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种制作氮化物发光装置的方法，特别是指通过结合层的形成与压合，将氮化物发光结构置换于高热导系数基板的制造方法。
技术介绍
已知制作氮化物发光装置的工艺，是以氧化铝(Al2O3)为基板，于其上进行磊晶成长。基于对实际操作的观察，发现其存在一些缺点首先，由于基板本身为绝缘，导电性不良，故制作时必须将P型和N型电极置于同一侧，因而增大P型和N型电极所占用的面积，并减少晶粒有效发光区域。再者，由于P型氮化物的导电性均远低于N型氮化物，而采用半透明的金属导电层作为欧姆接触层，虽能达到电流均匀分布，却也因半透明金属导电层存在，而大幅产生吸光效应，并降低发光效率。
技术实现思路
有鉴于上述问题，本专利技术提出了一种利用晶片结合技术，制作氮化物发光装置的方法，克服了已知技术制作发光组件的缺点，取得了多种进步的功效。又鉴于上述
技术介绍
，因氧化铝基板为绝缘体且热导能力不佳，本专利技术利用两种以上的金属或合金为结合层，通过结合层将成长于低热导系数基板上的氮化物发光结构与高热导系数基板结合在一起，而通过化学蚀刻法、干式蚀刻法或机械研磨法去除低导热系数基板，而将氮化物发光结构转置于高导热系数基本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种氮化物发光装置的制造方法，其特征在于包含下列步骤设置氮化物发光结构与第二基板，该氮化物发光结构包含第一基板，其材质是氧化铝；N型氮化物磊晶层形成于该第一基板上；及P型氮化物磊晶层形成于该N型氮化物磊晶层上；形成第一结合层于该氮化物发光结构的P型氮化物磊晶层上；形成第二结合层于该第二基板上，该第二基板的材质是半导体、金属或合金材料其中的任一种；结合该第一结合层与该第二结合层；去除该氮化物发光结构的第一基板，以使该氮化物发光结构的N型氮化物磊晶层曝露；形成透明导电层于该N型氮化物磊晶层；形成N型电极于该透明导电层上；及形成P型电极于该第二基板上。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于该第一结合层的材质可为铟锡合金或从金属铝(Al)、金属银(Ag)、金属金(Au)、金属镍(Ni)、金属铜(Cu)、金属铂(Pt)、金属钛(Ti)及金属钯(Pd)所组成的群组中选出的至少一种金属。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于该第一结合层的较佳厚度为1微米。4.如权利要求1所述的方法，其特征在于该第一结合层的成长方式是选自沉积、溅镀或电镀的其中一种。5.如权利要求1所述的方法，其特征在于该第二基板的导热系数大于150W/m-K。6.如权利要求1所述的方法，其特征在于该第二基板的较佳材质是金属铝(Al)。7.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨光能，
申请(专利权)人：璨圆光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：