发光二极管结构及其制造方法技术

一种发光二极管结构，设置有基片，其特征在于，该结构包含：　　　　于该基片上的缓冲层，该缓冲层的材料是氮化镓（ＧａＮ）系列化合物；　　　　于该缓冲层表面的发光二极管结构层，该发光二极管结构层是结合ｎ型氮化镓层、多重量子井结构层、ｐ型氮化铝镓层和ｐ型氮化镓层而构成，　　　　其中，该ｎ型氮化镓层于该缓冲层上，该ｎ型氮化镓层的材料是氮化镓系列Ⅲ－Ⅴ族化合物，　　　　该多重量子井结构层于该ｎ型氮化镓层上，该多重量子井结构层的材料是氮化铟镓系列化合物，　　　　该ｐ型氮化铝镓层于该多重量子井结构层上，该ｐ型氮化铝镓层的材料是ｐ型氮化铝镓系列Ⅲ－Ⅴ族化合物，　　　　　该ｐ型氮化镓层于该ｐ型氮化铝镓层上，该ｐ型氮化镓层的材料是ｐ型氮化镓系列－Ⅴ族化合物；　　　　于该发光二极管结构层的该ｐ型氮化镓层上的ｐ型量子点磊晶层，该ｐ型量子点磊晶层的材料是氮化铝铟镓系列化合物，其中，该发光二极管结构层的该ｎ型氮化镓层、该多重量子井结构层、该ｐ型氮化铝镓层、该ｐ型氮化镓层与该ｐ型量子点磊晶层，部份均被蚀刻工序所移除；　　　　于该ｐ型量子点磊晶层上且电连接的ｐ型欧姆接触电极，该ｐ型欧姆接触电极的材料是镍／金金属；及　　　　于该发光二极管结构层的该ｎ型氮化镓层上且电连接的ｎ型欧姆接触电极，该ｎ型欧姆接触电极的材料是钛／铝金属；藉此能够于该发光二极管结构设置一顺向偏压。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光二极管元件及其制造方法，特别是涉及一种包含p型量子点磊晶层于p型氮化镓层上的发光二极管结构及其制造方法。
技术介绍
由于发光二极管材料，三-五族(III-V)氮化镓(GaN)半导体折射系数(n＝2.3)与空气(n＝1)间折射系数的差异很大，使得其全反射临界角约只有25度，造成发光层产生的光，大部分只能在内部全反射而不能逃逸出来，为了要改变这种介面的缺点，在公知技术中，有人提出将半导体表面进行粗化，使光从发光层出来后经过粗化层介面。因粗化层介面的散射特性而改变光的行进路径，这样即使还存在全反射的机率，但是光发散出去的机率增加了，该技术已如文献(IEEE Transcations on ElectronDevices，47(7)，1492，2000)所述。公知技术粗化的方式，主要是在磊晶表面以蚀刻的方法来达成，如在美国专利第5,040,044号中，揭示了利用化学蚀刻以粗化发光元件表面，藉以达成增加发光效率效果。其他相关资料还有美国专利第5,429,954号与第5,898,192号等。然而，以上述制造过程加工的方式只应用在红光发光二极管中，这主要是基于其材料加工特本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管结构，设置有基片，其特征在于，该结构包含于该基片上的缓冲层，该缓冲层的材料是氮化镓(GaN)系列化合物；于该缓冲层表面的发光二极管结构层，该发光二极管结构层是结合n型氮化镓层、多重量子井结构层、p型氮化铝镓层和p型氮化镓层而构成，其中，该n型氮化镓层于该缓冲层上，该n型氮化镓层的材料是氮化镓系列III-V族化合物，该多重量子井结构层于该n型氮化镓层上，该多重量子井结构层的材料是氮化铟镓系列化合物，该p型氮化铝镓层于该多重量子井结构层上，该p型氮化铝镓层的材料是p型氮化铝镓系列III-V族化合物，该p型氮化镓层于该p型氮化铝镓层上，该p型氮化镓层的材料是p型氮化镓系列-V族化合物；于该发光二极管结构层的该p型氮化镓层上的p型量子点磊晶层，该p型量子点磊晶层的材料是氮化铝铟镓系列化合物，其中，该发光二极管结构层的该n型氮化镓层、该多重量子井结构层、该p型氮化铝镓层、该p型氮化镓层与该p型量子点磊晶层，部份均被蚀刻工序所移除；于该p型量子点磊晶层上且电连接的p型欧姆接触电极，该p型欧姆接触电极的材料是镍/金金属；及于该发光二极管结构层的该n型氮化镓层上且电连接的n型欧姆接触电极，该n型欧姆接触电极的材料是钛/铝金属；藉此能够于该发光二极管结构设置一顺向偏压。2.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈隆建，简奉任，
申请(专利权)人：璨圆光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：