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一种发光二极管结构，设置有基片，其特征在于，该结构包含：　　　　于该基片上的缓冲层，该缓冲层的材料是氮化镓（ＧａＮ）系列化合物；　　　　于该缓冲层表面的发光二极管结构层，该发光二极管结构层是结合ｎ型氮化镓层、多重量子井结构层、ｐ型氮化铝镓层...
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