半导体器件以及半导体器件的制造方法技术

这里公开了一种制造半导体器件的方法，该方法包括，准备一个包括一个集成电路芯片（１２）的第一衬底（１０）与该集成电路端子存在电连接的第一连接端子以及与第一连接端子隔开的第一连接部分（１６ａ、１７ａ），准备包括电连接到第一连接端子的第二连接端子的第二衬底（２０），以及与第二连接端子隔开的第二连接部分（２３ａ、２４ａ），提供用来接合到第一连接部分或者第二连接部分上的金属材料部分（３０），以及通过连接第一连接部分和第二连接部分来将第一衬底和第二衬底层叠起来，这是由金属材料部分通过热压缩接合来实现的。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一个，尤其是将各个带有集成电路芯片的衬底层叠起来的技术。
技术介绍
最近几年，人们提出了层叠半导体器件，在这种器件中，多个集成电路芯片(LSI芯片)被互相层叠在一起。图10就表示了制作这样一个层叠半导体器件的方法。该方法通过没有装配芯片的衬底20(这样的衬底下面将被称为无芯片衬底)将衬底10连接在一起，在每个衬底10上都装有一个LSI芯片(这样的衬底下面将被称为装有芯片的衬底)。通常情况下会层叠有更多的装有芯片的衬底10和无芯片衬底20。但为了描述的简便，在该图表示的这一部分中，只有两个装有芯片的衬底10与一个无衬底芯片20层叠在了一起。一个LSI芯片12被装配在装有芯片的衬底10的衬底主体11上。LSI芯片12的外部端子(没有示出)通过各向异性导电材料14被连接到衬底主体11上的各自的内部连线(没有示出)上。内部连线被连接到衬底主体11上的各个焊盘16上。焊盘16被连接到穿过衬底主体11的各个通孔塞(通过塞)17上。多个装有芯片的衬底10被装配到无芯片衬底20上。每个开口(器件孔22)会对应装配了LSI芯片12的装有芯片衬底10的区域而形成在无芯片衬底20中。此外本文档来自技高网...

【技术保护点】
一个制造半导体器件的方法，该方法包括：准备一个第一衬底，其包括一个集成电路芯片、与该集成电路芯片的端子电连接的第一连接端子、以及与第一连接端子相间隔的第一连接部分；　准备一个第二衬底，其包括电连接到第一连接端子的第二连接端子 ，以及与第二连接端子相间隔的第二连接部分；提供用来接合到第一连接部分或者第二连接部分上的金属材料部分；以及通过热压缩接合所述金属材料部分来连接第一连接部分和第二连接部分，以将第一衬底和第二衬底层叠起来。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 2001-9-28 304745/20011.一个制造半导体器件的方法，该方法包括准备一个第一衬底，其包括一个集成电路芯片、与该集成电路芯片的端子电连接的第一连接端子、以及与第一连接端子相间隔的第一连接部分；准备一个第二衬底，其包括电连接到第一连接端子的第二连接端子，以及与第二连接端子相间隔的第二连接部分；提供用来接合到第一连接部分或者第二连接部分上的金属材料部分；以及通过热压缩接合所述金属材料部分来连接第一连接部分和第二连接部分，以将第一衬底和第二衬底层叠起来。2.权利要求1中的制造半导体器件的方法，还包括将多个单元衬底层叠起来，所述各个单元衬底是由第一和第二衬底层叠形成的。3.权利要求2中的制造半导体器件的方法，其中对单元衬底的层叠包括使用粘性片来将相邻的单元衬底在层叠方向上接合起来。4.权利要求1中的制造半导体器件的方法，其中第一连接部分是一个在平面方向上相邻的第一连接端子之间的第一假端子，第二连接部分是在平面方向上相邻的第二连接端子之间的第二假端子。5.权利要求1中的制造半导体器件的方法，其中第一连接部分是提供在第一衬底上的第一假焊垫，第二连接部分是提供在第二衬底上的第二假焊垫。6.权利要求1中的制造半导体器件的方法，其中第一连接部分是提供在第一衬底上的第一对齐标记，它被用来将第一衬底与第二衬底对齐，第二连接部分是提供在第二衬底上的第二对齐标记，它被用来将第一衬底与第二衬底对齐。7.权利要求1中的制造半导体器件的方法，其中金属材料部分是由焊锡、锡或者锡-铋合金制成的。8.权利要求3中的制造半导体器件的方法，其中粘性片是由树脂制成的。9.一个半导体器件包括一个第一衬底，包括一个集成电路芯片、与该集成电路芯片的端子电连接的第一连接端子、以及与第一连接端子相间隔的第一连接部分；层叠在第一衬底上的第二衬底，所述第二衬底包括第二连接端子以及与第二连接端子相间隔的第二连接部分；以及提供在第一连接部分和第...

【专利技术属性】
技术研发人员：芳村淳，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]