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这里公开了一种制造半导体器件的方法，该方法包括，准备一个包括一个集成电路芯片（１２）的第一衬底（１０）与该集成电路端子存在电连接的第一连接端子以及与第一连接端子隔开的第一连接部分（１６ａ、１７ａ），准备包括电连接到第一连接端子的第二连接端子...
该专利属于株式会社东芝所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社东芝授权不得商用。

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