电子器件的制造制造技术

提供了适用于集成电路组件底层填充材料的组合物。并且提供了含有特定底层填充材料的集成电路组件的制备方法，和含有这种集成电路组件的电子器件。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
方法
本专利技术一般的涉及用于将集成电路连接到载体衬底上的互联结构领域。具体的，本专利技术涉及用于将焊接的集成电路粘附并底层填充到衬底的膜及其方法。
技术介绍
集成电路组件几乎用于所有电子器件。这些组件包括集成电路(“IC”)和载体衬底。每个集成电路在其表面具有输入/输出点(“I/O”)，或引线。这些I/O通过衬底上特定的点，称为“焊盘”或“焊点”，连接到载体衬底的电路图形上。所谓的“倒装芯片”方法通常用于将IC安装到载体衬底上。在倒装芯片方法中，焊接凸点或焊球位于集成电路的I/O上。IC然后被倒置并直接放在载体衬底的呈电路化的一侧，这样焊接凸点与载体衬底上的焊盘对准。然后加热重熔焊剂，形成焊接接头。在最后组装过程，在载体衬底和IC之间留有一个缝隙。这样的缝隙取决于焊接接头的高度。尽管这样的倒装芯片方法给电子器件的制造带来优点，例如在载体衬底上释放巨大的空间和极大的简化IC组件的制造，但这种方法也有明显的缺点。倒装芯片组件的焊接接头对热应力敏感和易于失效。集成电路、载体衬底和焊接接头的热膨胀系数(“CTE”)都不相同。因此，当温度上升或下降时，这些材料以显著不同的速率膨胀或收缩。这本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种适用于集成电路组件的可再成型聚合树脂，包含作为聚合单元的一种或多种亲双烯体和一种或多种双烯，其中至少一种双烯含有至少一对能够进行Ｄｉｅｌｓ－Ａｌｄｅｒ反应的共轭双键，且在共轭双键的第一个和第四个碳原子上具有至少一个氢原子。

【技术特征摘要】
US 2003-4-5 60/460,6671.一种适用于集成电路组件的可再成型聚合树脂，包含作为聚合单元的一种或多种亲双烯体和一种或多种双烯，其中至少一种双烯含有至少一对能够进行Diels-Alder反应的共轭双键，且在共轭双键的第一个和第四个碳原子上具有至少一个氢原子。2.权利要求1的可再成型聚合树脂，其中至少一种双烯具有式(I)结构 其中R1、R2、R3和R4独立地选自氢、烷基、烯基、芳基、杂原子和取代的杂原子；并且R1和R2或R3和R4可以一起形成环双烯。3.权利要求1的可再成型聚合树脂，其中至少一种双烯具有式(II)结构 其中Z选自烷基、烯基、芳基、亚芳基醚、烷基芳基、(甲基)丙烯酸部分、环氧部分和硅氧烷部分。4.权利要求1的可再成型聚合树脂，其中至少一种亲双烯体具有一个或多个参与Diels-Alder反应的双键，其中在烯碳原子的4个取代基中的至少2个是氢。5.一种制备封装集成电路组件的方法，包括以下步骤a)提供一个集成电路组件，其含有通过多个金属连接附着于载体衬底上的集成电路，该金属连接从载体衬底延伸向集成电路，从而形成载体衬底和集成电路之间的缝隙；b)用含有粘合剂的底层填料组合物填充此缝隙，该粘合剂选自Diels-Alder反应聚合物和聚环硅氧烷，其中Diels-Alder反应聚合物含有作为聚合单元的一种或多种亲双烯体和一种或多种双烯，其中至少一种双烯含有一个或多个键接到双烯的每个烯碳原子上的氢原子。6.权利要求5的方法，其中该聚环氧硅烷包括式VII的化合物 其中a＝1-20；b＝Y的化合价；R是O、(C1-C12)亚烷基、(C1-C3)...

【专利技术属性】
技术研发人员：A拉莫纳，NE布雷斯，
申请(专利权)人：罗姆和哈斯电子材料有限责任公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]