表面处理方法、表面处理装置、表面处理基板及光电装置制造方法及图纸

一种表面处理方法，具有对基板（１１）表面实施疏液化处理的工序，和通过对疏液化处理过的基板（１１）的表面照射能量光，在表面实施亲液化处理的工序。将基板表面的能量光的累计照度的偏差控制在２０％以下。根据本发明专利技术的表面处理方法，即使是大型的基板，也能相等地控制液状体与基板的接触角。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种表面处理方法、表面处理装置、表面处理基板及光电装置以及电子机器。
技术介绍
在电子电路或集成电路等使用的配线的制造中，例如采用光刻法。该光刻法，在预先涂布有导电膜的基板上，涂布称之为抗蚀剂的感光材料，照射并显影电路图形，根据抗蚀剂图形，通过刻蚀导电膜，形成配线。该光刻法，需要真空装置等大规模的设备和复杂的工序，此外，材料的使用效率也只有几％，其大部分不得不废弃，制造成本高。对此，提出了从液体喷出头液滴状喷出液体材料的液体喷出法，即，采用喷墨法形成配线图形的方法(例如，参照专利文献1)。在该方法中，直接在基板上图形状涂布能分散金属微粒子等导电性微粒子的功能液即配线图形用墨，然后，进行热处理或激光照射，变换成导电膜图形。如果采用该方法，具有不需要光刻法，能够大幅度简化工艺，同时也减少原材料使用量等优点。为了确切进行利用喷墨法的导电膜配线，提出，在预先形成有疏液部和亲液部的图形的基板的亲液部，利用喷墨法有选择地喷出液体材料。此时，分散导电性微粒子的液体，由于不易残留在亲液部，所以，不形成围堰，能够保证位置精度，形成配线。此时，作为疏液化的方法，已知有，在基板的表面形成疏液性单分子膜，如形成由有机分子构成的自组织化膜的处理，或在基板的表面上形成氟聚合膜的处理，例如以氟化碳系化合物作为反应气体的等离子处理等。另外，作为亲液化的方法，已知有，在疏液化后，通过照射紫外光，破坏暂时形成疏液性的膜的方法。专利文献1美国专利5132248号说明书但是，在上述的以往技术中，存在以下问题。在采用付与上述亲液性或疏液性的基板形成膜图形时，需要大致相同地控制液状体与基板的接触角。这是因为，基板上的亲液性的偏差影响圆点直径，即行宽或膜厚度的均匀性。而且，近年来，基板向大型化发展，随之在基板表面上的亲液性的偏差也增大，担心不能够相同地控制液体与基板的接触角。
技术实现思路
本专利技术是针对上述问题而提出的，目的是提供一种即使是大型的基板也能相等地控制液状体与基板的接触角的表面处理方法、表面处理装置、表面处理基板及具有该表面处理基板的光电装置以及电子机器。为达到上述目的，本专利技术采用以下构成。本专利技术的表面处理方法，具有对基板表面实施疏液化处理的工序、和通过对上述疏液化处理过的基板表面照射紫外光等的能量光，对上述表面实施亲液化处理的工序，其特征在于，将上述基板表面上的所述能量光的累计照度的偏差控制在20％以下。更优选按15％以下控制上述基板表面上的能量光的累计照度的偏差。因此，在本专利技术中，能够将付与基板上的亲液性的偏差控制在规定范围内，也能够抑制基板与液状体的接触角的偏差。因此，能够得到涂布在基板上的液状体的圆点直径，即由液状体形成的行宽或膜厚度的均匀性。作为抑制基板表面上的能量光的累计照度的偏差的方法，可以采用，相对于上述能量光的光源，一边相对移动上述基板，一边照射上述能量光的程序。由此，能够缓和照射在基板上的能量的分布，能够抑制累计照度的偏差。在随着基板的大型化排列多个能量光的光源的情况下，优选在上述多个光源的排列方向，相对摇动上述基板。由此，根据本专利技术，即使在多个光源间存在照射能量的偏差，也能够缓和照射在基板上的能量的分布使累计照度相等。此外，在本专利技术中，优选具有，在上述亲液化处理之前，分别计测上述基板表面的多个部位和上述基板附近的上述能量光的照度的工序；在上述亲液化处理中，根据计测上述基板附近的上述能量光的累计照度的结果，控制上述能量光的照射的工序。由此，在本专利技术中，预先求出基板表面的能量光的照度和基板附近的能量光的照度的相对关系，在亲液化处理工序中，通过计测·监测基板附近的能量光的照度，不计测基板表面的照度，也能检测出基板表面的能量光的累计照度达到规定值，从而能够停止能量光的照射。此外，本专利技术的表面处理基板，其特征在于，用上述的表面处理方法实施表面处理。由此，在本专利技术中，由于具有所要求的均匀的亲液性，所以，在作为液滴向基板上喷出液状体时，能够得到由液状体形成的行宽或膜厚度的均匀性。此外，本专利技术的光电装置，其特征在于，具有形成在上述专利技术的表面处理基板上的导电膜配线。此外，本专利技术的电子机器，其特征在于，具有本专利技术的光电装置。由此，在本专利技术中，通过具有规定行宽或膜厚度的导电性膜，能够得到有利于导电、不易产生断线或短路等问题的高质量的光电装置及电子机器。另外，本专利技术的基板处理装置，对基板的表面照射能量光，对上述表面实施亲液化处理，其特征在于具有使上述能量光的光源和上述基板相对摇动的摇动装置。由此，在本专利技术中，能够缓和照射基板的能量的分布，能够抑制累计照度的偏差。优选基板沿多个排列的上述光源的排列方向相对摇动。由此，在随着基板的大型化排列多个能量光的光源时，即使在多个光源间存在照射能的偏差，也能够缓和照射在基板上的能量的分布，使累计照度相同。附图说明图1是在表面处理装置上放置基板的概略俯视图。图2是图1的主视图。图3是利用压电方式喷出液状体的原理说明图。图4是配线形成装置的概略立体图。图5是实施方式3的液晶显示装置的基板上的俯视图。图6是表示液晶显示装置的其他形态的图。图7是实施方式4的等离子型显示装置的分解立体图。图8是实施方式5的非接触型卡介体的分解立体图。图9是说明FED的图。图10是表示本专利技术的电子机器的具体例的图。图中11基板、31表面处理装置、33载物台(摇动装置)、34驱动装置(摇动装置)、35水银灯(光源)、37控制装置(摇动装置)、200FED(光电装置)、400非接触型卡介体(电子机器)，500等离子型显示装置(光电装置)、600携带电话主体(电子机器)、700信息处理装置(电子机器)、800手表主体(电子机器)、900液晶显示装置(光电装置)。具体实施例方式以下，参照图1～图10，说明本专利技术的表面处理方法、表面处理装置及光电装置以及电子机器的实施方式。实施方式1首先，作为实施方式1，说明本专利技术的表面处理方法。本专利技术的表面处理方法，由疏液化处理工序及亲液化处理工序构成。下面，说明各工序。疏液化处理工序作为疏液化处理方法的一种，可以举出在基板表面形成由有机分子膜等构成的自组织化膜的方法。关于用于处理基板表面的有机分子膜，在一端侧具有可在基板结合的官能团，在另一端侧具有将基板的表面性改质(控制表面能)成疏液性的官能团，同时，具有结合这些官能团的碳的直链或部分支链的碳链，是通过在基板上结合，进行自组织化，形成分子膜如单分子膜的有机分子膜。所谓的自组织化膜，是由可与基板等衬底层等的构成原子反应的结合性官能团和其以外的直链分子构成，是利用该直链分子的相互作用，通过使具有极高取向性的化合物取向而形成的膜。该自组织化膜，由于使单分子取向而形成，所以，能够大大减薄膜厚度，能够以分子水平形成均匀的膜。即，由于相同的分子位于膜的表面，能够付与膜的表面均匀且优良的疏液性等。作为具有上述高取向性的化合物，例如，在采用氟烷基硅烷时，由于以氟烷基位于膜表面的方式，取向各化合物，形成自组织化膜，所以能够对膜的表面付与均匀的疏液性等。作为形成自组织化膜的化合物，示例十七氟-1，1，2，2-四氢癸基三乙氧基硅烷、十七氟-1，1，2，2-四氢癸基三甲氧基硅烷、十七氟-1，1，2，2-四氢癸基三氯硅烷、十三氟-1，1，2，2-四氢辛本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种表面处理方法，具有对基板表面实施疏液化处理的工序；以及对上述疏液化处理过的基板表面照射能量光，对上述表面实施亲液化处理的工序，其特征在于，将上述基板表面上的上述能量光的累计照度的偏差控制在２０％以下。

【技术特征摘要】
JP 2003-3-26 2003-085538;JP 2004-2-12 2004-0350821.一种表面处理方法，具有对基板表面实施疏液化处理的工序；以及对上述疏液化处理过的基板表面照射能量光，对上述表面实施亲液化处理的工序，其特征在于，将上述基板表面上的上述能量光的累计照度的偏差控制在20％以下。2.如权利要求1所述的表面处理方法，其特征在于，将上述基板表面上的能量光的累计照度的偏差控制在15％以下。3.如权利要求1或2所述的表面处理方法，其特征在于，相对于上述能量光的光源，边相对移动上述基板边照射上述能量光。4.如权利要求3所述的表面处理方法，其特征在于，相对于多个排列的上述光源，使上述基板在上述多个光源的排列方向上相对摇动...

【专利技术属性】
技术研发人员：平井利充，长谷井宏宣，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]