器件及制法、有源矩阵基板的制法及电光学装置和电子仪器制造方法及图纸

提供一种器件，是在基板上形成贮存格，并通过液滴喷出在所述贮存格之间的沟槽内的所定图案形成区域形成导电性膜的器件，其中，在所述图案形成区域的外侧，通过液滴喷出形成与所述导电性膜电分离的第２导电性膜。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种器件及其制造方法、有源矩阵基板的制造方法及电光学装置和电子仪器。本申请对2003年5月30日申请的日本专利申请第2003-155863号和2004年4月9日申请的日本专利申请第2004-115372号主张优先权，这里援引其内容。
技术介绍
以前，作为半导体集成电路等细微配线图案的制造方法，多使用光刻法。另一方面，例如特开平11-274671号公报或特开2000-216330号公报等中公开了使用液滴喷出方式的方法。在这些公报中公开的技术通过从液滴喷头向基板上喷出包含图案形成用材料的功能液，在图案形成面上配置(涂布)材料，形成配线图案，可对应于少量多种生产，很有效。但是，近年来构成器件的电路的高密度化不断前进，例如对配线图案要求进一步细微化、细线化。但是，在由基于上述液滴喷出方式的方法来形成这种细微的配线图案的情况下，尤其是难以充分保证该配线宽度的精度。因此，例如在特开平9-203803号公报或特开平9-230129号公报中，记载了如下技术，在基板上设置作为分隔部件的贮存格(bank)，同时实施表面处理，将贮存格的上部变为疏液性，此外的部分变为亲液性。通过使用该技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种器件的制造方法，其中，具有：在基板上的所定图案形成区域形成贮存格的工序；向所述贮存格间的沟槽内喷出液滴，形成导电性膜的工序；和向所述图案形成区域的外侧喷出液滴，形成与所述导电性膜电分离的第２导电性膜的工序。

【技术特征摘要】
JP 2003-5-30 2003-155863;JP 2004-4-9 2004-1153721.一种器件的制造方法，其中，具有在基板上的所定图案形成区域形成贮存格的工序；向所述贮存格间的沟槽内喷出液滴，形成导电性膜的工序；和向所述图案形成区域的外侧喷出液滴，形成与所述导电性膜电分离的第2导电性膜的工序。2.一种器件，其中，具备基板；形成于所述基板上的贮存格；通过喷出液滴形成于所述贮存格间的沟槽内的所定图案形成区域内的导电性膜，；和第2导电性膜，其配置在所述图案形成区域的外侧，并且与所述导电性膜电分离，并通过喷出液滴形成。3.根据权利要求2所述的器件，其特征在于所述第2导电性膜，在所述图案形成区域的外侧中已形成的第2贮存格间的沟槽内形成。4.根据权利要求3所述的器件，其特征在于所述贮存格与所述第2贮存格的至少一方，具有比各自之间的沟槽高的疏液性。5.根据权利要求2所述的器件，其特征在于所述第2导电性膜，由与所述导电性膜相同的材料形成。6.根据权利要求2所述的器件，其特征在于所述第2导电性膜，以与所述导电性膜大致相...

【专利技术属性】
技术研发人员：长谷井宏宣，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]